[发明专利]中子束产生装置有效
申请号: | 202010363484.1 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111905275B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 叶吉田;薛燕婉;游镇帆 | 申请(专利权)人: | 禾荣科技股份有限公司 |
主分类号: | H05H3/06 | 分类号: | H05H3/06 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 薛恒;王琳 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中子 产生 装置 | ||
1.一种中子束产生装置,其特征在于,包含:
支撑座,具有第一开口,并包含凹陷部,该凹陷部位于该第一开口的内缘,且具有衔接面;
外壳,穿设在该第一开口,且包含限位凸部,该限位凸部位于该外壳的外表面,且基于通过该外壳的转动轴线而可相对该支撑座的该凹陷部转动而衔接该支撑座的该凹陷部,并具有第二开口,其中该支撑座的该凹陷部的该衔接面具有曲率中心线以及曲率半径,该曲率中心线与该转动轴线重合,且该曲率半径为该衔接面与该转动轴线相距的距离;
靶材,设置在该外壳中;
第一管体,沿着该转动轴线自该第二开口延伸至该靶材;以及
加速器,配置以产生离子束,其中该第一管体配置以传输该离子束以撞击该靶材而产生中子束。
2.如权利要求1所述的中子束产生装置,其特征在于,该转动轴线延伸而穿过该靶材。
3.如权利要求1所述的中子束产生装置,其特征在于,该第一管体与该支撑座相距距离。
4.如权利要求1所述的中子束产生装置,其特征在于,该外壳具有通道,该通道与该靶材排列在第一方向,并配置以供该中子束通过而离开该外壳,其中该第一方向与该转动轴线相交。
5.如权利要求4所述的中子束产生装置,其特征在于,该通道与该靶材所排列的该第一方向实质上与该转动轴线垂直。
6.如权利要求4所述的中子束产生装置,其特征在于,还包含反射体,位于该外壳中并位于该靶材远离该通道的一侧。
7.如权利要求4所述的中子束产生装置,其特征在于,还包含中子减速结构,位于该外壳中并位于该靶材与该通道之间,且与该第一管体的中心轴延伸线相分离。
8.如权利要求1所述的中子束产生装置,其特征在于,还包含旋转接头以及第二管体,该旋转接头连接于该第一管体与该第二管体之间,连通该第一管体与该第二管体,且配置以使得该第一管体与该第二管体基于该转动轴线相对转动。
9.如权利要求8所述的中子束产生装置,其特征在于,该加速器连接该第二管体相对该第一管体的一端,且配置以产生该离子束以进入该第二管体。
10.如权利要求1所述的中子束产生装置,其特征在于,该外壳包含轴承,该轴承沿着转动轴线突出并支撑在该支撑座,且该第一管体穿设在该轴承。
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