[发明专利]新型毫米波Ga2

权利要求书

1.一种新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：包括衬底层（1），所述衬底层（1）的上表面形成有缓冲层（2），所述缓冲层（2）的上表面形成有钝化层（3），所述钝化层（3）的一侧形成有阴极重掺杂Ga₂O₃层（4），所述钝化层（3）的另一侧形成有阳极重掺杂Ga₂O₃层（5），所述阴极重掺杂Ga₂O₃层（4）远离钝化层（3）的一侧形成有第一凹槽，所述阴极重掺杂Ga₂O₃层（4）靠近钝化层（3）的一侧形成有第一凸台，所述第一凹槽内形成有阴极欧姆接触层（6），所述第一凸台上形成有阴极低掺杂Ga₂O₃层（7），所述阴极欧姆接触层（6）的高度高于所述第一凸台的高度，所述阴极低掺杂Ga₂O₃层（7）的高度高于所述阴极欧姆接触层（6）的高度，所述阴极欧姆接触层（6）的上表面形成有阴极金属加厚层（8），所述阴极低掺杂Ga₂O₃层（7）的上表面形成有肖特基接触金属层（9），所述肖特基接触金属层（9）的外周形成阴极二氧化硅层（10），所述肖特基接触金属层（9）的高度高于所述阴极二氧化硅层（10）高度，低于所述阴极金属加厚层（8）的高度；

所述阳极重掺杂Ga₂O₃层（5）远离钝化层（3）的一侧形成有第二凹槽，所述阳极重掺杂Ga₂O₃层（5）靠近钝化层（3）的一侧形成有第二凸台，所述第二凹槽内形成有阳极欧姆接触层（11），所述第二凸台上形成有阳极低掺杂Ga₂O₃层（12），所述阳极欧姆接触层（11）的高度高于所述第二凸台的高度，所述阳极低掺杂Ga₂O₃层（12）的高度高于所述阳极欧姆接触层（11）的高度，所述阳极欧姆接触层（11）的上表面形成有阳极金属加厚层（13），所述阳极低掺杂Ga₂O₃层（12）的上表面形成有阳极二氧化硅层（14），所述阳极金属加厚层（13）的高度高于所述阳极二氧化硅层（14）的高度，所述阳极金属加厚层（13）与所述肖特基接触金属层（9）之间通过金属空气桥（15）进行连接。

2.如权利要求1所述的新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：所述衬底（1）采用蓝宝石材料进行制作。

3.如权利要求1所述的新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：所述缓冲层（2）使用AlN材料进行制作。

4.如权利要求1所述的新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触层自下而上的制作材料为Ti、Al、Ni和Au。

5.如权利要求1所述的新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基接触金属层（9）自下而上的制作材料为Ti、Pt和Au。

6.如权利要求1所述的新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：所述重掺杂Ga₂O₃层的掺杂浓度为2e18cm^-3。

7.如权利要求1所述的新型毫米波Ga₂O₃肖特基二极管，其特征在于：所述低掺杂Ga₂O₃层的掺杂浓度为2e17cm^-3。