[发明专利]一种电容触摸屏镀膜工艺及触摸屏在审
| 申请号： | 202010364591.6 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111560586A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 梁锐生;郭繁锐;郑仁华 | 申请（专利权）人： | 豪威星科薄膜视窗（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/10 |
| 代理公司： | 深圳市深弘广联知识产权代理事务所(普通合伙) 44449 | 代理人： | 向用秀 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 触摸屏 镀膜 工艺 | ||
1.一种电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，包括：
基层除水，去除基层表面水汽分量；
表面增强，通过辉光放电增强所述基层表面活性；
第一层靶材溅射，采用ZrOx在所述基层上溅射ZrOx靶材；
第二层靶材溅射，采用硅和氧在所述基层上溅射二氧化硅靶材；
第三层靶材溅射，采用ITO在所述基层上溅射ITO靶材；
离子源轰击处理，在真空内通过在线线性离子源轰击所述ITO靶材；
加热处理，对离子源轰击处理后所述基层和各靶材进行离线加热。
2.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述基层除水过程处于零下120℃度到零下152℃之间。
3.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述辉光放电的电压区间为1.0-2.5kV，电流区间为0.7-1.5A。
4.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述ZrOx中的x为1.8-1.99。
5.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述第二层靶材溅射在保护气体中进行；和/或，所述离子源轰击处理在保护气体中进行。
6.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述ITO包括氧化铟和氧化锡，所述氧化铟与所述氧化锡的重量比区间为0.10-0.97。
7.根据权利要求6所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述氧化铟与所述氧化锡的重量比为0.9。
8.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述加热处理温度区间为140℃-160℃，加热时间区间为40min-70min。
9.一种镀膜屏，其特征在于，由如权利要求1-8任一项所述的电容触摸屏镀膜工艺加工而成，其包括基层和通过靶材溅射依次敷设在所述基层上的ZrOx层、二氧化硅层和ITO层。
10.根据权利要求9所述的镀膜屏，其特征在于，所述ZrOx层厚度为5-18nm；所述二氧化硅层厚度为30-50nm；所述ITO层厚度为15-25nm。
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