[发明专利]接触孔关键尺寸的检测方法、存储介质和设备

权利要求书

1.一种接触孔关键尺寸的检测方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

在晶圆上形成聚焦曝光矩阵；形成所述聚焦曝光矩阵的方法，包括：选取不同的焦距和不同的曝光剂量，形成多组聚焦曝光参数；将一组聚焦曝光参数作为一个聚焦曝光区域中的数据；按照所述聚焦曝光参数的大小顺序，将所述聚焦曝光矩阵中的聚焦曝光区域进行排序；

将每组所述聚焦曝光参数作为一个所述聚焦曝光区域的光刻参数进行光刻，在各个聚焦曝光区域上形成接触孔；

根据所述聚焦曝光参数确定所述聚焦曝光区域上形成的接触孔的关键尺寸；

对所述接触孔进行缺陷检测，获取所述聚焦曝光矩阵的电子束成像灰阶图；

根据所述聚焦曝光矩阵的电子束成像灰阶图，确定各个所述聚焦曝光区域上有源区接触孔的灰度值；

确定各个所述聚焦曝光区域上形成的有源区接触孔的关键尺寸；

根据各个所述聚焦曝光区域上形成的有源区接触孔的关键尺寸，及对应的灰度值之间的关系，确定关键尺寸和灰度值之间的拟合函数；

对待测晶圆进行缺陷检测，获取所述待测晶圆的电子束成像灰阶图；

根据所述待测晶圆的电子束成像灰阶图，确定待测接触孔的灰度值；

根据所述拟合函数和待测接触孔的灰度值，确定所述待测接触孔的关键尺寸。

2.如权利要求1所述的接触孔关键尺寸的检测方法，其特征在于，根据所述待测晶圆的电子束成像灰阶图，确定待测接触孔的灰度的步骤，包括：

确定待测接触孔的位置信息；

根据所述待测接触孔的位置信息，从所述待测晶圆的电子束成像灰阶图中确定所述待测接触孔的灰度值。

3.如权利要求1所述接触孔关键尺寸的检测方法，其特征在于，对所述接触孔进行缺陷检测，获取晶圆表面的电子束成像灰阶图的方法，包括：

采用电子束扫描缺陷机对所述接触孔进行缺陷检测，激发二次电子；

根据不同位置处捕获的所述二次电子的数量，生成所述电子束成像灰阶图。

4.如权利要求1所述接触孔关键尺寸的检测方法，其特征在于，所述接触孔包括有源区接触孔、栅极间接触孔和栅源共享接触孔。

5.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质中存储有至少一条指令或程序，所述指令或程序由处理器加载并执行，以实现如权利要求1～3中任一项所述的接触孔关键尺寸的检测方法。

6.一种检测设备，其特征在于，所述检测设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令或程序，所述指令或程序由所述处理器加载并执行，以实现如权利要求1～3中任一项所述的接触孔关键尺寸的检测方法。