[发明专利]钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体材料的原料组合物，其包含第一组分和第二组分，所述第一组分为熔炼时添加的元素，所述第二组分为晶界扩散时添加的元素；

所述第一组分包括：

轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；

Ho：0～10wt％、且不为0；

Gd：0～5wt％、且不为0；

Dy和/或Tb：0～3wt％，且不为0；

Cu：0～0.35wt％，且不为0；

Ga：0～0.35wt％，且不为0；

Al：0～0.5wt％；

X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；

Co：0～0.5wt％；

B：0.9～1.05wt％；

余量为Fe；

所述第二组分包括：Dy和/或Tb：0.2～1wt％；

所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中总稀土含量为29.5～32.5wt％；

wt％为各元素占所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的重量百分比。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，

所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中总稀土含量为30.1～32.1wt％，例如30.5wt％、30.8wt％或31.5wt％；

和/或，所述LR的含量为15～30wt％，例如17.4wt％、18wt％、20wt％、22.5wt％、23wt％、23.4wt％、23.8wt％、24.5wt％、25.5wt％、26wt％或29.9wt％；

和/或，所述Nd的含量为13～20wt％，例如18wt％或18.56wt％；

和/或，所述LR还包括Pr和/或Sm；其中，

当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.84wt％或10.8wt％；所述Pr的添加形式为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd；当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％；

和/或，所述Ho含量为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.7wt％、3wt％、4.3wt％或8.1wt％；

和/或，所述Gd含量为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.8wt％、2.5wt％或2.6wt％；

所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％；

和/或，所述第一组分中所述Dy和/或Tb的含量范围为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％或2.5wt％；当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；

和/或，所述Cu的含量范围为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；

和/或，所述Ga的含量范围为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；

和/或，所述Al的含量范围为0～0.3wt％，较佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0；

和/或，所述X的种类为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种；所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％；

当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％；

当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％；

当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％；

当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％；

当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如2:1或2:3；

当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:10或5:2；

当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:8；

和/或，所述Co的含量为0～0.2wt％；

和/或，所述B的含量范围为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％；

和/或，所述第二组分中Dy和/或Tb的含量范围为0.5～0.8wt％；

当所述第二组分包括Dy时，所述Dy的含量范围较佳地为0.2～1wt％，例如0.5wt％或0.8wt％；

当所述第二组分包括Tb时，所述Tb的含量范围较佳地为0.2～1wt％，例如0.5wt％；

当所述第二组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；

较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：15～30wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.5～0.8wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.2～0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.05wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.8～1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～0.99wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.5～1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。