[发明专利]基于黑碳化硅陶瓷的热电型光探测器

权利要求书

1.一种热电型光探测器，其特征在于包括由黑碳化硅陶瓷制作的导热板。

2.如权利要求1所述的热电型光探测器，其特征在于所述导热板的一侧表面是光学吸收面，所述光学吸收面上设置热电堆。

3.如权利要求1所述的热电型光探测器，其特征在于所述导热板的一侧表面是光学吸收面，另一侧表面设置热电堆。

4.如权利要求2或3所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述热电堆围绕光学入射区域形成闭合曲线。

5.如权利要求4所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述热电堆和绝热边共同围绕光学入射区域形成闭合曲线。

6.如权利要求2或3所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述光学吸收面采用研磨方式清洁。

7.如权利要求1所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷由黑碳化硅粉体烧结而成。

8.如权利要求7所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷由黑碳化硅粉体在加压环境中烧结而成。

9.如权利要求1所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷的密度在2.6～3.2g/cm³之间。

10.如权利要求2或3所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷的光学吸收面非镜面。

11.如权利要求10所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷的光学吸收面的表面粗糙度Ra在0.8～6.3um之间。

12.如权利要求1所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷的光学损伤阈值为窄脉冲高峰值功率下大于3GW/cm²且宽脉冲高能量下至少200～500J/cm²。

13.如权利要求1所述的热电型光探测器，其特征在于：

所述黑碳化硅陶瓷包括但不限于颜色较深的深蓝色、深灰色和黑灰色碳化硅陶瓷。

14.一种热电型光功率计，其特征在于包括电压表及权利要求1所述的热电型光探测器，所述电压表与所述热电型光探测器的输出端连接。

15.一种热电型光能量计，其特征在于包括电压表及权利要求1所述的热电型光探测器，所述电压表与所述热电型光探测器的输出端连接。