[发明专利]一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装电极，其特征在于，包括：电极板以及在所述电极板上层叠设置的第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层，其中，所述第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上均逐渐增大，所述弹性层由铜和弹性体形成的复合材料制成。

2.根据权利要求1所述的芯片封装电极，其特征在于，所述第一钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上由0％增至30％～55％；

所述第二钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上由0％～5％增至100％。

3.根据权利要求1所述的芯片封装电极，其特征在于，以形成所述弹性层的复合材料的总质量计，弹性体的质量百分比为10％～20％。

4.根据权利要求1-3任一所述的芯片封装电极，其特征在于，在所述电极板和所述第一钼铜合金层之间，还包括：铜金属层。

5.根据权利要求1-3任一所述的芯片封装电极，其特征在于，所述弹性体为硅橡胶。

6.根据权利要求1-3任一所述的芯片封装电极，其特征在于，形成所述弹性层的复合材料具有多孔结构。

7.根据权利要求6所述的芯片封装电极，其特征在于，形成所述弹性层的复合材料具有蜂窝结构，所述蜂窝结构空腔的横截面为菱形。

8.根据权利要求1-3任一所述的芯片封装电极，其特征在于，第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层的厚度均为5mm～10mm。

9.一种权利要求1-8任一所述的芯片封装电极的制备方法，其特征在于，包括：

在所述电极板上依次形成所述第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层。

10.根据权利要求9所述的芯片封装电极的制备方法，其特征在于，包括：

采用3D打印工艺在所述电极板上依次形成所述第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层，得到合金成形件；

将所述合金成形件进行热处理，得到所述芯片封装电极。

11.根据权利要求10所述的芯片封装电极的制备方法，其特征在于，

形成所述第一钼铜合金层和第二钼铜合金层的方法包括：

采用激光束加热钼和铜的混合粉末，使所述钼和铜的混合粉末熔合形成激光熔覆层；

形成所述弹性层的方法包括：

采用激光束加热铜和弹性体的混合粉末，使所述铜和弹性体的混合粉末熔合形成激光熔覆层；

所述激光束的扫描速率为1000mm/s～1200mm/s；所述激光束的激光功率为200W～250W；所述激光束的扫描间距为0.07mm～0.11mm；

所述热处理包括：将所述合金成形件于673K～773K下保温1小时～2小时，再升温至1073K～1173K，保温3小时～4小时，冷却。

12.一种芯片封装电极在绝缘栅双极型晶体管芯片封装中的应用，其特征在于，所述芯片封装电极为权利要求1～8任一所述的芯片封装电极，或者，所述芯片封装电极为权利要求9～11任一所述的制备方法制备得到的芯片封装电极。

13.一种芯片封装结构，其特征在于，包括权利要求1～8任一所述的芯片封装电极，或者权利要求9～11任一所述的制备方法得到的芯片封装电极。

14.根据权利要求13所述的芯片封装结构，其特征在于，包括：管壳以及沿所述管壳的轴向依次压接的集电极、钼片、芯片和所述芯片封装电极。