[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 202010366665.X | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN111524838B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 中井仁司;大桥泰彦 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/687;B05C5/02;B05C9/04;B05C11/10;B08B3/04;B08B11/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,
具有:
基板支撑部,其以水平状态从下侧支撑基板,
上侧旋转构件,其配置在所述基板支撑部的上方,
位置限制构件,其在以朝向上下方向的中心轴为中心的周向上,限制所述上侧旋转构件相对于所述基板支撑部的相对位置,
基板按压部,其固定在所述上侧旋转构件上,并从上侧按压被所述基板支撑部支撑的所述基板,
基板旋转机构,其使所述基板与所述基板支撑部、所述基板按压部及所述上侧旋转构件一起进行旋转,
处理液供给部,其向所述基板上供给处理液;
腔室,其具有腔室主体以及腔室盖部,通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间,
腔室开闭机构,其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在所述上下方向上进行移动,
所述基板保持部配置在所述腔室内,
所述基板支撑部具有多个第一接触部,该多个第一接触部分别在多个第一接触位置与所述基板的外缘部接触,
所述基板按压部具有多个第二接触部,该第二接触部分别在多个第二接触位置与所述基板的所述外缘部接触,其中,所述第二接触位置是在所述周向上与所述多个第一接触位置不同的位置,
在所述腔室盖部在所述上下方向上进行相对移动时,所述上侧旋转构件被所述腔室盖部支撑并与所述腔室盖部一起进行移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在各第一接触部的周向上的两侧以与各所述第一接触部相邻的方式配置有两个第二接触部,或者在各第二接触部的周向上的两侧以与各所述第二接触部相邻的方式配置有两个第一接触部。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个第一接触部分别具有第一倾斜面,该第一倾斜面越朝向以所述中心轴为中心的径向内侧越朝向下侧,并且所述第一倾斜面与所述基板的外缘部相接触。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个第二接触部分别具有第二倾斜面,该第二倾斜面越朝向以所述中心轴为中心的径向内侧越朝向上侧,并且所述第二倾斜面与所述基板的外缘部相接触。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述多个第一接触部各自的上端部位于所述多个第二接触部各自的下端部的上方。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述上侧旋转构件呈与所述中心轴垂直的板状,
所述上侧旋转构件的下表面与所述基板的上表面相向。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述上侧旋转构件的外周缘,在以所述中心轴为中心的径向上,在整周上位于所述基板的外周缘的外侧。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在所述基板支撑部以及所述上侧旋转构件上设置有在所述上下方向上相向的一对磁铁,所述基板按压部借助作用于所述一对磁铁之间的磁力,朝向所述基板支撑部按压所述基板。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板按压部借助所述上侧旋转构件的自重,朝向所述基板支撑部按压所述基板。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板旋转机构具有:
环状的转子部,其配置在所述腔室的所述内部空间内,并安装有所述基板支撑部;
定子部,其配置在所述腔室外的所述转子部的周围,在与所述转子部之间产生旋转力。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
所述转子部借助作用于所述转子部和所述定子部之间的磁力,在所述内部空间内以悬浮状态进行旋转。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010366665.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板、阵列基板的制作方法及显示装置
- 下一篇:基于大数据的安全云平台系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造