[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 202010366733.2 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111381411B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 高娇;邱英彰;林丽敏;刘晓莉;滕用进 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 361101 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底基板;

位于所述衬底基板一侧的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管至少包括第一电极;

位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的像素电极;

位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的至少两层色阻层,且任意相邻的两层所述色阻层之间设置有介质层;所述介质层的材料为绝缘材料;

其中,所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接;

所述介质层设置有开孔;所述过孔包括所述开孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:平坦化层;

所述平坦化层位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间;

其中,所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间;或者,所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间;或者,所述至少两层色阻层包括至少一层第一色阻层和至少一层第二色阻层;所述至少一层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间,所述至少一层第二色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:第一搭接导电层;所述第一搭接导电层包括第一搭接结构;

所述第一搭接导电层位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧;

所述过孔包括第一过孔和第二过孔;所述像素电极通过所述第一过孔与所述第一搭接结构电连接,所述第一搭接结构通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:至少一层第二搭接导电层;所述第二搭接导电层包括第二搭接结构;

所述第二搭接导电层位于相邻的两层所述色阻层之间,且位于不同层的所述第二搭接结构一一对应电连接;

其中,所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间,所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔;所述像素电极通过所述第一子过孔与所述第二搭接结构电连接;所述第二搭接结构通过所述第二子过孔与所述第一搭接结构电连接;

或者,所述至少两层色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间,所述第二过孔包括第三子过孔和第四子过孔;所述第一搭接结构通过所述第三子过孔与所述第二搭接结构电连接,所述第二搭接结构通过所述第四子过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。

5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:至少一层第三搭接导电层;所述第三搭接导电层包括第三搭接结构;

所述至少两层色阻层包括至少两层第一色阻层和至少一层第二色阻层,所述至少两层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间,所述至少一层第二色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间;

所述第三搭接导电层位于相邻的两层所述第一色阻层之间,且位于不同层的所述第三搭接结构一一对应电连接;所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔;所述像素电极通过所述第一子过孔与所述第三搭接结构电连接;所述第三搭接结构通过所述第二子过孔与所述第一搭接结构电连接。

6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:至少一层第四搭接导电层;所述第四搭接导电层包括第四搭接结构;

所述至少两层色阻层包括至少一层第一色阻层和至少两层第二色阻层,所述至少一层第一色阻层位于所述平坦化层与所述像素电极之间,所述至少两层第二色阻层位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间;

所述第四搭接导电层位于相邻的两层所述第二色阻层之间,且位于不同层的第四搭接结构一一对应电连接;所述第二过孔包括第三子过孔和第四子过孔;所述第一搭接结构通过所述第三子过孔与所述第四搭接结构电连接;所述第四搭接结构通过所述第四子过孔与所述薄膜晶体管的第一电极电连接。

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