[发明专利]一种芯片封装方法

说明书

本申请公开了一种芯片封装方法，该方法包括：提供第一封装体，第一封装体包括至少一个连接芯片、第一再布线层、多个第一导电柱以及第一塑封层；第一再布线层位于连接芯片的功能面一侧，且第一再布线层的不同区域分别与连接芯片、第一导电柱电连接；在连接芯片的非功能面一侧形成电连接结构，电连接结构与第一导电柱的一端电连接；将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向第一再布线层并与第一再布线层电连接，第一芯片和第二芯片的信号传输区焊盘通过第一再布线层与连接芯片电连接；将电连接结构朝向封装基板，并使电连接结构与封装基板电连接。通过上述方式，本申请能够提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率，提高封装器件的性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种芯片封装方法。

背景技术

随着电子产品的更新换代，对于芯片封装技术的要求也越来越高，现有的芯片封装技术中，通常先将芯片与硅中介板进行连接，然后将硅中介板与基板进行连接。上述方式形成的封装器件的电性能和热传导性能均表现优异，但是成本较高，且硅中介板脆性较高，导致封装器件的稳定性较低。因此，需要发展一种新的封装技术，能够降低成本，且形成的封装器件的性能优异。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法，能够降低成本，提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供芯片封装方法，所述芯片封装方法包括：提供第一封装体，所述第一封装体包括至少一个连接芯片、第一再布线层、多个第一导电柱以及第一塑封层；其中，所述连接芯片包括相背设置的功能面和非功能面，每个所述连接芯片的外围设置有多个所述第一导电柱，所述第一塑封层覆盖所述连接芯片的侧面以及所述第一导电柱的侧面，所述第一再布线层位于所述连接芯片的所述功能面一侧，且所述第一再布线层的不同区域分别与所述连接芯片、所述第一导电柱电连接；在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结构与所述第一导电柱的一端电连接；将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所述第一再布线层电连接，其中，所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区焊盘靠近设置，所述第一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区焊盘通过所述第一再布线层与所述连接芯片电连接，所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区焊盘通过所述第一再布线层与所述第一导电柱背离所述电连接结构的一端电连接；将所述电连接结构朝向封装基板，并使所述电连接结构与所述封装基板电连接。

其中，所述将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所述第一再布线层电连接之前，还包括：在所述第一再布线层远离所述连接芯片的一侧形成第一钝化层，并在所述第一钝化层对应所述第一再布线层的位置形成第一开口；在所述第一开口内形成第二导电柱，所述第二导电柱与所述第一再布线层电连接；所述将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所述第一再布线层电连接，包括：将所述第一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区焊盘通过所述第二导电柱、所述第一再布线层与所述连接芯片电连接，以及将所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区焊盘通过所述第二导电柱、所述第一再布线层与所述第一导电柱的背离所述电连接结构的一端电连接。

其中，所述提供第一封装体包括：提供可去除的第一载板，所述第一载板定义有至少一个区域；在所述第一载板上每个所述区域形成所述第一再布线层；在所述第一再布线层上形成第二钝化层，在所述第二钝化层对应所述第一再布线层的位置形成多个第二开口；在所述第二钝化层外侧的第二开口内形成所述第一导电柱，在所述第二钝化层内侧的第二开口内形成第一导电凸块；将所述连接芯片的所述功能面上的连接焊盘与所述第一导电凸块键合连接，所述第一导电柱的高度大于等于所述连接芯片的所述非功能面与所述第一再布线层之间的距离；在所述第一载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层，所述第一塑封层与所述第一导电柱齐平。

其中，所述在所述第一载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层之前，还包括：在所述连接芯片的所述功能面与所述第二钝化层之间形成第一底填胶。