[发明专利]一种抗干扰的光电化学生物质传感器制备方法

权利要求书

1.一种抗干扰的光电化学生物质传感器制备方法，其操作步骤为：

按照质量份数，将0.064-0.12份的氯化亚锡、0.084-0.240份的硫代乙酰胺、0.12-0.64份的硝酸锌、0.082-0.34份的六亚甲基四胺和0.84-3.42份的聚乙烯醇加入到60-120份的乙二醇中，搅拌混合均匀后将溶液加入到水热反应釜中，并将洁净的导电玻璃浸没在溶液中，控温150-180℃，反应10-15h，完成反应后将得到的电极洗净，并作为工作电极采用电聚合反应改性表面，所述的电聚合反应在电极表面改性液中进行，并加入50-100mmol/L的高氯酸钠，电位设定在0.8-1.5V，沉积时间40-120s，然后将得到的电极在避光条件下在5-20mg/ml的高碘酸溶液中浸泡45-90min，然后纯水冲洗干净，然后用抗体适配体孵育后即可得到一种抗干扰的光电化学生物质传感器；所述的电极表面改性液为一种接枝改性聚噻吩单体水溶液，其制备方法如下：

按照质量份数，将17.2-24.4份的2,3-二氢噻吩并[3,4-b][1,4]二噁英-5-甲醇和200-300份的无水甲醇加入到反应釜中，搅拌混合均匀后加入10.8-15.6份的甲醇钠，控温80-100℃，搅拌反应120-180min，然后蒸去溶剂甲醇，加入150-280份的二甲基二恶烷，搅拌混合20-30min，然后在氮气保护下将7.6-9.2份的环氧丙醇缓慢加入到反应釜中，控制30-80min内滴加完毕，然后控温90-100℃，反应10-20h，完成反应后降温到室温，过滤，蒸去有机溶剂并加水稀释至含量为0.8%-5%，即可得到所述的电极表面改性液。

2.根据权利要求1所述的一种抗干扰的光电化学生物质传感器制备方法，其特征在于：所述的孵育方式为：在制备的电极表面均匀涂布10-30mg/ml的1,1-羰基二咪唑的水溶液，然后在8-20mg/ml的抗体适配体，pH值为6.5-7.5的磷酸盐缓冲液中孵育10-20h后得到。

3.根据权利要求1所述的一种抗干扰的光电化学生物质传感器制备方法，其特征在于：所述的导电玻璃为ITO导电玻璃或FTO导电玻璃。

4.根据权利要求1所述的一种抗干扰的光电化学生物质传感器制备方法，其特征在于：所述的一种抗干扰的光电化学生物质传感器电极材料需要在pH值为6.5-7.5的磷酸盐缓冲溶液中浸泡保存。