[发明专利]一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池

权利要求书

1.一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片(1)，n型单晶硅片(1)的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(4)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片(1)的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(5)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。

2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述n型单晶硅片(1)采用晶向为(100)的n型Cz单晶硅，其厚度为100～180μm，电阻率为0.5～3.0Ω·cm。

3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜层以硅烷作为硅源，一氧化二氮为氮源和氧源，通过等离子增强化学气相沉积方法制备。

4.如权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述氢化非晶氮氧化硅薄膜层的制备方法为：n型单晶硅片(1)预处理后，放入等离子增强化学气相沉积设备，然后抽真空至真空度达到5×10^-4Pa，以H₂和SiH₄为反应气体，一氧化二氮为氮源和氧源，在n型单晶硅片(1)的温度150～300℃、沉积气压10～300Pa条件下，在n型单晶硅片(1)的正表面、背表面分别生长一层氢化非晶氮氧化硅薄膜。

5.如权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述一氧化二氮的体积占一氧化二氮与SiH₄体积之和的百分比在0～50％之间变化。

6.如权利要求1或4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜是非化学计量的，其化学式表示为a-SiO_xN_y:H，非化学计量比x的变化范围是0～0.5，非化学计量比y的变化范围是0～0.5。

7.如权利要求6所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的氢化非晶氮氧化硅薄膜，通过改变非化学计量比x和y，其光学带隙可在1.6～3.0eV的范围内调节。

8.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述氢化非晶氮氧化硅薄膜的厚度为2～10nm。

9.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的p型氢化非晶硅薄膜层(4)为硼掺杂的非晶硅薄膜层；所述的n型氢化非晶硅薄膜层(5)为磷掺杂的非晶硅薄膜层。

10.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的透明导电氧化物薄膜层为掺锡氧化铟薄膜或掺钨氧化铟薄膜；所述的金属栅线电极为Ag电极。