[发明专利]一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池

权利要求书

1.一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片(1)的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片(1)的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层(7)、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。

2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述n型单晶硅片(1)采用晶相为(100)的n型Cz单晶硅，其厚度为100～180μm，电阻率为0.5～3.0Ω·cm。

3.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层是通过等离子增强化学气相沉积或热丝化学气相沉积制备在n单晶硅片(1)的正表面/背表面，其厚度为2～10nm。

4.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜的化学式表示为a-SiO_x:H，非化学计量比x的变化范围是0～0.5。

5.如权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜通过改变非化学计量比x，其光学带隙可在1.6～3.0eV的范围内调节。

6.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的p型氢化非晶硅薄膜层(3)为硼掺杂的非晶硅薄膜层；所述的n型氢化非晶硅薄膜层(7)为磷掺杂的非晶硅薄膜层。

7.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的透明导电氧化物薄膜层为掺锡氧化铟薄膜或掺钨氧化铟薄膜。

8.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的金属栅线电极为Ag电极。

9.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层的制备方法为：n型单晶硅片(1)预处理后放入等离子增强化学气相沉积设备或热丝化学气相沉积设备中抽真空，真空度达到5×10^-4Pa后，以H₂和SiH₄为反应气体、CO₂为氧源，在n型单晶硅片(1)衬底温度150～300℃、沉积气压为0.2～300Pa条件下，在n型单晶硅片(1)的正表面、背表面各生长一层非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层。

10.如权利要求9所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述CO₂的体积占其与SiH₄的体积之和的百分比在0～50％之间变化。