[发明专利]一种BOX形氮化硅波导及其制备方法有效
| 申请号： | 202010370812.0 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111522094B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周章渝;肖寒;孙健;代天军;陈雨青;彭晓珊;王代强;张青竹;宁江华;张子砚 | 申请（专利权）人： | 贵阳学院 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 张雪 |
| 地址： | 550005 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 box 氮化 波导 及其 制备 方法 | ||
1.一种BOX形氮化硅波导的制备方法，包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层、第一牺牲层以及第二牺牲层；刻蚀所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，去除第二牺牲层，形成条形槽；其特征在于，
生长氮化硅材料，一部分生长在所述条形槽内，一部分覆盖在所述第一牺牲层上，然后进行表面平坦化，形成BOX氮化硅槽；
生长第二包覆层，一部分填充满所述BOX氮化硅槽，一部分覆盖在所述第一牺牲层上，然后进行表面平坦化，形成光滑表面；
生长氮化硅材料，覆盖所述光滑表面；
刻蚀BOX氮化硅槽外的氮化硅材料，形成BOX氮化硅波导，然后刻蚀第一牺牲层；
在所述第一包覆层和所述BOX氮化硅波导上生长第三包覆层。
2.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一包覆层的厚度为2-3μm。
4.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层为αSi，所述第二牺牲层为光刻胶。
5.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度为100nm-2μm，所述第二牺牲层的厚度为3-5μm。
6.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第一包覆层、所述第二包覆层和所述第三包覆层包括二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述第三包覆层的厚度为4-10μm。
8.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，形成条形槽后，所述条形槽通过氢退火和热氧化处理工艺。
9.根据权利要求1所述的BOX形氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述生长的方法包括物理气相沉积和化学气相沉积；所述刻蚀包括光刻、离子束刻蚀、湿法腐蚀刻蚀；所述表面平坦化采用化学机械平坦化工艺。
10.一种BOX形氮化硅波导，其特征在于，包括：
位于半导体衬底上的第一包覆层；
和位于所述第一包覆层之上的BOX氮化硅波导；和位于所述BOX氮化硅波导内部的第二包覆层；
和位于所述第一包覆层之上和包覆所述BOX氮化硅波导的第三包覆层；
所述第一包覆层、所述第二包覆层和所述第三包覆层包括二氧化硅；
所述半导体衬底为硅衬底；
所述第一包覆层的厚度为100nm-2μm；所述第三包覆层的厚度为4-10μm。
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