[发明专利]一种单晶炉副室清理装置及清理方法

说明书

本发明提供一种单晶炉副室清理装置，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。本发明还提供一种单晶炉副室清理方法。本发明提出的清理装置，结构简单且易于控制，可连续全面地清洁副室内壁，无遗漏，清洁质量好且清洁效果一致，清洗液利用率高。

技术领域

本发明属于单晶炉设备清理技术领域，尤其是涉及一种单晶炉副室清理装置及清理方法。

背景技术

在单晶拉制过程中，单晶炉炉体内壁的洁净度是影响晶体成晶的关键因素之一。单晶炉中主室主要用于硅料的加热反应，在主室中形成的晶体通过置于副室中的提升装置被向上提拉。在拉制过程中，氩气从副室中通过流入到主室中，氩气携带着反应的挥发物顺着副室向下运动，挥发物的残留物沿炉膛内壁沉积，这些残渣灰尘若不及时清理，会在拉晶过程中落入主室中的硅料中，污染硅液纯度，严重影响晶体成晶质量。对于单晶炉主室，其开口直径较大易于清理；而对于单晶炉副室为圆筒状结构，高度狭长，副室直径约30-40cm，炉膛纵深约3-5m，高于底面2-5m设置，在清理过程中，清理操作困难，且在清理过程中不易观察副室内壁情况。

中国公开专利：CN209779039U一种单晶炉副室清洁器，提出若干组间隔设置的清洁刷，刷头在副室内无法全接触副室内壁，容易导致漏刷，尤其是对于长度较长的副室而言，需要多次去除刷头来进行清理，不能连续清理副室。

中国公开专利：CN206736403U一种CZ直拉法硅单晶炉副室的清洁装置，提出独立设置的各种不同形状的弹性清洁刷，但类似这种结构的清洁刷受副室内壁挤压而变形，使得清洁效果不一致，且这种间隔设置的清洁刷也不能与副室内壁全接触，也容易出现漏刷的现象，导致清洗效果差。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种单晶炉副室清理装置及清理方法，尤其适合直拉单晶炉副室的清洁，解决了现有技术中清洁效果差，容易出现漏刷且清洗效果不一致的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种单晶炉副室清理装置，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。

进一步的，所述架体上端面为开口设置，下端面为台面，所述台面高度小于所述架体高度的1/3且大于所述架体高度的1/5，且所述台面的母线角度不小于120°且不大于160°。

进一步的，所述台面大径端面与所述架体内侧壁下端面连接，所述台面小径端面靠近所述架体上端面一侧设置。

进一步的，在所述架体内侧壁靠近所述架体上端面和靠近所述架体下端面分别设有环状凸缘，所述凸缘垂直于所述架体轴线设置；置于所述架体下端一侧的所述凸缘位于所述台面大径面下方。

进一步的，在靠近所述台面一侧的所述凸缘下方还设有支撑面，所述支撑面为环形镂空结构。

进一步的，所述清理装置还包括可伸缩的支架，所述支架上端面与所述架体下端面连接，所述支架通过外设气泵控制；所述支架为管状结构。

进一步的，用于输送所述清洗液的软管贯穿所述支架内侧，并从所述台面小径端面中心向上设置；在所述软管上端设有喷头，所述清洗液通过所述喷头向所述清洁件四周喷射；所述软管下端与用于放置所述清洗液的储存器连通。

一种单晶炉副室清理方法，采用如上任一项所述的清理装置，从所述架体内侧向置于所述架体外壁的所述清洁件提供所述清洗液，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触并可连续清洁所述副室。