[发明专利]钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构及其封装方法在审
申请号: | 202010372089.X | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN111463351A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 彭勇;李康闯;万京伟;邹俊洁;陈力 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 太阳能电池 泄露 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,所述钙钛矿太阳能电池包括依次叠加设置的导电玻璃(1)、电子传输层(2)、钙钛矿吸光层(3)、空穴传输层(4)、金属电极(5),其特征在于,所述防铅泄露封装结构包括保护层(6)、陶瓷封装层(7)、边封层(8)、封装玻璃(9);所述保护层(6)热蒸镀在所述金属电极(5)上;所述陶瓷封装层(7)溅射或沉积在所述保护层(6)上;所述边封层(8)层压在所述钙钛矿太阳能电池的四周;所述封装玻璃(9)通过粘贴所述边封层(8)设置在所述陶瓷封装层(7)的上方,并与所述陶瓷封装层(7)和所述边封层(8)形成空腔(10)。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述防铅泄露封装结构还包括粘合层(11);所述粘合层(11)位于所述封装玻璃(9)与所述陶瓷封装层(7)和所述边封层(8)形成的所述空腔(10)中。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述粘合层(11)为环氧丙烷粘合层、乙烯—醋酸乙烯共聚物粘合层中的一种。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述防铅泄露封装结构还包括粘合层(11);所述粘合层(11)位于所述封装玻璃(9)与所述陶瓷封装层(7)和所述边封层(8)形成的所述空腔(10)中,且所述粘合层(11)与所述边封层(8)一体化设置。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述粘合层(11)与所述边封层(8)为一体化的紫外固化胶。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述保护层(6)为氧化钼保护层。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述陶瓷封装层(7)为氧化铝陶瓷封装层、氧化硅陶瓷封装层、氮化硅陶瓷封装层中的一种。
8.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述封装玻璃(9)为钠钙封装玻璃、超白封装玻璃、钢化封装玻璃中的一种。
9.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的防铅泄露封装结构,其特征在于,所述边封层(8)为聚异丁烯边封层。
10.权利要求1至9任一项所述的防铅泄露封装结构的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在所述钙钛矿太阳能电池的所述金属电极(5)上热蒸镀所述保护层(6),其中,热蒸镀的工艺参数为:真空压强为:2.5×10-4Pa,热蒸发功率:90W,蒸发速率:0.2A/s;
2)采用磁控溅射法将所述陶瓷封装层(7)溅射在所述保护层(6)上,其中,磁控溅射工艺参数为:靶材纯度:99.9%,溅射温度:室温,本底真空:8×10-4Pa,氩气流量:20sccm,靶间距:125mm,工作气压:0.4-0.7Pa,溅射功率:60-100W,溅射速率:0.1-0.15A/s;
3)在所述钙钛矿太阳能电池有钙钛矿薄膜侧的四周边缘处粘贴所述边封层(8),并将所述封装玻璃(9)粘贴在所述边封层(8)上,得到初步封装电池;
4)通过层压方法对所述初步封装电池进行处理,得到防铅泄露的钙钛矿太阳能电池,其中,层压工艺为:温度:150℃,压强差:10kPa,加热加压处理时间:5min。
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