[发明专利]一种边缘便于识别的无损单晶片及其标记方法和专用砂轮

权利要求书

1.一种边缘便于识别的无损单晶片，包括晶片本体(1)，所述晶片本体(1)包括上表面(101)和下表面(102)，在晶片本体(1)的边缘处加工有用于识别的倒角(2)，其特征在于：所述倒角(2)包括上斜面(201)和下斜面(202)，且上斜面(201)与下斜面(202)通过弧形圆角相连，所述上表面(101)的延长线与上斜面(201)间形成的夹角为第一锐角α，所述下表面(102)的延长线与下斜面(202)间形成的夹角为第二锐角β，且第一锐角α小于第二锐角β，上斜面(201)和下斜面(202)为非对称设置，且上斜面(201)和上表面(101)直径相同，在下斜面(202)上刻有标识符(3)。

2.如权利要求1所述的一种边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：所述晶片本体(1)为硅单晶材料，用来作为衬底用晶片。

3.如权利要求2所述的一种边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：所述上表面(101)为正表面，所述下表面(102)为背表面。

4.如权利要求1至3任一所述的一种边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：所述标识符(3)用来标识不同晶面的方向和晶向的方向。

5.如权利要求1所述的一种边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：所述晶片本体(1)为碳化硅单晶材料，用来作为衬底用晶片或籽晶用晶片。

6.如权利要求5所述的一种边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：所述上表面(101)为碳面，所述下表面(102)为硅面。

7.如权利要求5或6所述的一种边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：所述标识符(3)用来标识不同晶面方向。

8.一种单晶材料无损晶片的标记方法，用于加工权利要求1至权利要求7任一所述的边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于，具体步骤包括：

步骤1：切割处理：将滚圆的单晶棒切割成单个晶片本体(1)；

步骤2：倒角和边抛工段处理：将切割后的单个晶片本体(1)使用专用砂轮将其边缘周向加工出倒角(2)，将倒角(2)的轮廓用专用砂轮加工成具有上斜面(201)和下斜面(202)的非对称形状，使下表面(102)的延长线与下斜面(202)间形成的第二锐角β大于上表面(101)的延长线与上斜面(201)间形成的第一锐角α；

步骤3：标记处理：在衬底用晶片的下斜面(201)上用激光标记上标识符(3)，所述标识符(3)包括晶面的方向和晶向的方向；在籽晶用晶片的下斜面(201)上用激光标记上标识符(3)，所述标识符(3)包括晶面的方向。

9.如权利要求8所述的一种单晶材料无损晶片的标记方法，其特征在于：所述第一锐角α的取值范围为20°～40°，所述第二锐角β的取值范围为50°～70°。

10.一种专用砂轮，用来加工权利要求1所述的边缘便于识别的无损单晶片，其特征在于：包括砂轮本体(4)，在砂轮本体(4)的外周边缘开设有上下侧壁呈非对称设置的凹形槽(401)，且上侧壁的长度小于下侧壁的长度。