[发明专利]使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法在审
| 申请号： | 202010372353.X | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111522208A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王勇;谢自力;潘巍巍;黄愉;彭伟 | 申请（专利权）人： | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 正胶做掩膜 进行 金属 薄膜 剥离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：在基片上涂上一层正胶，经前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光处理后，在正胶表面镀金属，然后剥离剥离，剥离时在整面已镀金属的基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除，最后将基片置于有机溶液中浸泡，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。
2.根据权利要求1所述的使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：所述有机溶剂为常温丙酮溶液，或90℃的N甲基吡咯烷酮，浸泡时间为15min。
3.根据权利要求1或2所述的使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：曝光和泛曝光采用的能量均为20毫瓦/平方厘米、3.5秒。
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