[发明专利]半导体装置、半导体系统和操作半导体装置的方法在审
申请号: | 202010372357.8 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN112052203A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 李秀旻;成耆焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F13/42;G06T1/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 方成;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 系统 操作 方法 | ||
提供一种半导体装置、半导体系统和操作半导体装置的方法。半导体装置包括:门信号生成器,用于接收第一时钟信号,并用于基于第一时钟信号生成第一门信号和第二门信号;门控时钟信号生成器,用于接收第二时钟信号,并用于基于第二时钟信号以及来自门信号生成器的第一门信号和第二门信号来生成第一门控时钟信号、第二门控时钟信号和第三门控时钟信号;数据采样器,用于从门控时钟信号生成器接收第三时钟信号,并用于基于第三时钟信号对输入串行数据信号进行采样;以及解串器,用于通过基于来自门控时钟信号生成器的第一门控时钟信号、第二门控时钟信号和第三门控时钟信号中的至少一个对输入串行数据信号进行解串来生成并行数据信号。
于2019年06月05日在韩国知识产权局提交的并且标题为“半导体装置、半导体系统和操作半导体装置的方法”的第10-2019-0066673号韩国专利申请通过引用全部合并于此。
技术领域
实施例涉及半导体装置、半导体系统和操作半导体装置的方法。
背景技术
图形双倍数据速率(GDDR)存储器(例如,图形双倍数据速率动态随机存取存储器(GDDR DRAM))是为图形处理单元(GPU)设计的存储器。GDDR存储器系统可以包括物理层(PHY)电路(例如,GDDR PHY电路)。PHY电路可以包括用于例如GDDR存储器与GPU之间的数据传输的物理层接口。
当从GDDR DRAM读取数据时,GDDR PHY电路可不从GDDR DRAM接收与读取操作有关的时钟信号。因此,GDDR PHY电路可能需要自己对从GDDR DRAM接收的数据进行采样。
发明内容
实施例涉及一种半导体装置。所述半导体装置可以包括:门信号生成器,用于接收第一时钟信号,并用于基于所述第一时钟信号生成第一门信号和第二门信号;门控时钟信号生成器,用于接收第二时钟信号,并用于基于所述第二时钟信号以及来自所述门信号生成器的所述第一门信号和所述第二门信号来生成第一门控时钟信号、第二门控时钟信号和第三门控时钟信号;数据采样器,用于从所述门控时钟信号生成器接收第三时钟信号,并用于基于所述第三时钟信号对输入串行数据信号进行采样;以及解串器,用于通过基于来自所述门控时钟信号生成器的所述第一门控时钟信号、所述第二门控时钟信号和所述第三门控时钟信号中的至少一个对所述输入串行数据信号进行解串来生成并行数据信号。
实施例涉及一种半导体系统。所述半导体系统可以包括:图形双倍数据速率动态随机存取存储器(GDDR DRAM);PHY电路,包括:第一PHY电路,用于从GDDR DRAM接收输入的串行数据信号,第二PHY电路,用于将命令和地址发送到GDDR DRAM,以及控制器,用于控制第一PHY电路和第二PHY电路。第一PHY电路可以包括:门信号生成器,用于接收第一时钟信号并用于基于所述第一时钟信号生成第一门信号和第二门信号;门控时钟信号生成器,用于接收第二时钟信号,并用于基于所述第二时钟信号以及从所述门信号生成器接收的所述第一门信号和所述第二门信号来生成第一门控时钟信号、第二门控时钟信号和第三门控时钟信号;数据采样器,用于从所述门控时钟信号生成器接收第三时钟信号,并用于使用所述第三时钟信号对所述输入串行数据信号进行采样;以及解串器,用于通过基于从所述门控时钟信号生成器接收的所述第一门控时钟信号、所述第二门控时钟信号和所述第三门控时钟信号中的至少一个对所述输入串行数据信号进行解串来生成并行数据信号。
实施例涉及一种操作半导体装置的方法。所述方法可以包括:基于第一时钟信号生成第一门信号和第二门信号;基于第二时钟信号、所述第一门信号和所述第二门信号生成第一门控时钟信号、第二门控时钟信号和第三门控时钟信号;基于第三时钟信号对输入串行数据信号进行采样;通过基于所述第一门控时钟信号、所述第二门控时钟信号和所述第三门控时钟信号中的至少一个对所述输入串行数据信号进行解串来生成并行数据信号。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例,对本领域技术人员而言,特征将变得清楚,其中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010372357.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:压摆率调节电路、缓冲电路和压摆率调节方法
- 下一篇:滑动门结构