[发明专利]一种提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法有效
| 申请号： | 202010372412.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111653486B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王斌;贺贤汉;孙泉;周轶靓;葛荘;欧阳鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 陶瓷 冷热 冲击 可靠性 方法 | ||
1.一种提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板为活性金属钎焊陶瓷基板，在图形化工艺后进行，包括如下步骤：
A，极冷处理阶段：将图形化工艺后的覆铜陶瓷基板产品，清洗表面脏污和杂质后置于-55℃～-75℃温度环境下2min-3min；
B，缓慢升温阶段：升温速率为0.4～0.8℃/min，升温至20℃±5℃，用时2-3h，使得经过极冷处理的覆铜陶瓷基板产品温度提升至20℃±5℃；
C，室温处理阶段：将所述覆铜陶瓷基板产品置于20℃±5℃温度环境下2min-3min；
D，将步骤C中的产品再依次置于步骤A、B、C所述的环境中，循环操作3-10次。
2.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，步骤A中，采用除油剂和纯水清洗覆铜陶瓷基板产品表面的脏污和杂质。
3.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，步骤C中的温度环境为20～25℃。
4.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，步骤D中，循环操作次数为5-7次。
5.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，所述覆铜陶瓷基板产品中陶瓷基板、图形面、非图形面的厚度分别为1.0mm、0.3mm、0.25mm。
6.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，所述覆铜陶瓷基板产品有蚀刻台阶。
7.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，所述覆铜陶瓷基板产品中陶瓷基板或焊料表面进行改性处理。
8.根据权利要求1所述的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于：
其中，进行处理时，将覆铜陶瓷基板产品置于干冰保温箱中，控制温度在-55℃～-75℃，保温2-3min后，用时2-3h让干冰逐渐完全挥发，至室温保温2-3min，通过不断重复添加批次干冰来实现循环操作。
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