[发明专利]光学芯片

权利要求书

1.一种光学芯片，其特征在于，包括基底，所述基底上形成有第一外延结构层，所述第一外延结构层包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一光学元件，所述第二区域上形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上形成有第二外延结构层，所述第二外延结构层用于形成第二光学元件，所述第一光学元件与所述第二光学元件电气隔离，所述第一光学元件和所述第二光学元件中的其中一个为垂直腔面发射激光器，另一个为光探测器。

2.根据权利要求1所述的光学芯片，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括磷化镓铟、铟镓砷磷和磷化铝镓铟中的至少任一种。

3.根据权利要求1或2所述的光学芯片，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度大于1-1000nm。

4.根据权利要求1或2所述的光学芯片，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域的毗邻处设置有延伸至所述基底的沟槽或离子植入区。

5.根据权利要求1或2所述的光学芯片，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括层叠设置的第一反射器层、发光层及第二反射器层；

所述第一反射器层和所述第二反射器层中两者中的一个为N型反射器层，另外一个为P型反射器层。

6.根据权利要求5所述的光学芯片，其特征在于，所述第一反射器层及所述第二反射器层为布拉格反射器层和高对比度光栅层中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的光学芯片，其特征在于，所述发光层包括层叠设置的有源层和氧化层，所述有源层和所述氧化层两者中的一个与所述N型反射器层连接，另外一个与所述P型反射器层连接；

所述氧化层包括未氧化区域与环绕所述未氧化区域设置的氧化区域，所述未氧化区域用于界定激光出射窗。

8.根据权利要求5所述的光学芯片，其特征在于，所述发光层包括层叠设置的有源层和两层氧化层，所述有源层位于两层所述氧化层之间，其中一层所述氧化层与所述N型反射器层连接，另外一层所述氧化层与所述P型反射器层连接；

各所述氧化层均包括未氧化区域与环绕所述未氧化区域设置的氧化区域，所述未氧化区域用于界定激光出射窗。

9.根据权利要求1或2所述的光学芯片，其特征在于，所述光探测器包括层叠设置的第一掺杂层、吸收层及第二掺杂层；

所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中的其中一个为P掺杂层，另一个为N掺杂层。

10.根据权利要求9所述的光学芯片，其特征在于，所述P掺杂层为P型掺杂砷化镓层或P型掺杂Al_xGaAs层，N掺杂层为N型掺杂砷化镓层或N型掺杂Al_xGaAs层，所述吸收层为本征Al_xGa_1-xAs层,其中，x＝0-0.3。