[发明专利]一种抗反射的微纳结构材料的制备方法

权利要求书

1.一种抗反射的微纳结构材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理；

步骤2，对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层；

步骤3，对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒，在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列；

步骤4，采用磁控溅射技术在步骤3中制绒的单晶硅片表面上沉积一层银膜，厚度12～16nm；

步骤5，将步骤4中的沉积银膜的硅片置于H₂O₂和HF的混合溶液刻蚀；

步骤6，将步骤5反应后的硅片置于30vol％的浓度HNO₃溶液中，超声清洗3～5min，以去除表面的Ag颗粒，最终形成纳米线—金字塔的微纳复合结构材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，去除损伤层采用的是NaOH溶液、KOH溶液；去氧化层的溶液采用的是HF溶液。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，采用NaOH溶液时，溶液的浓度为2.0～4.0mol/L，温度为75～90℃，时间为5～12min；采用KOH溶液时，溶液的浓度为2.0～4.0mol/L，温度为75～90℃，时间为5～12min；采用HF溶液时，溶液的浓度为0.5～1.2mol/L，温度为20～40℃，时间为5～8min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中采用的是NaOH+IPA溶液、KOH+IPA溶液、TMAH+IPA溶液体系对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用NaOH+IPA溶液时，NaOH溶液的浓度为0.5～0.75mol/L，异丙醇溶液体积分数为5％，温度在85～90℃，时间30～35min；采用KOH+IPA溶液时，NaOH溶液的浓度为0.5～0.75mol/L，异丙醇溶液体积分数为5％，温度在85～90℃，时间30～35min；采用TMAH+IPA溶液时，TMAH溶液的浓度为0.6～0.8mol/L，异丙醇溶液体积分数为5％，温度在85～90℃，时间35～45min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5中，H₂O₂的浓度为4.4～4.8mol/L，HF的浓度为0.4～0.6mol/L，体积比1:1混合，温度30～35℃，时间2～5min。