[发明专利]一种半导体芯片堆叠封装及其形成方法

说明书

本发明涉及一种半导体芯片堆叠及其制备方法，该方法包括以下步骤：将第一半导体芯片倒装安装在封装基板上；在所述第一半导体芯片上依次形成第一聚醚酰亚胺封装层、第一镍纳米线网格层、第二聚醚酰亚胺封装层、第二镍纳米线网格层以及第三聚醚酰亚胺封装层，接着在所述封装基板上形成第一塑封层、重布线层以及第二半导体芯片，在所述第二半导体芯片上依次形成第四聚醚酰亚胺封装层、第三镍纳米线网格层、第五聚醚酰亚胺封装层、第四镍纳米线网格层以及第六聚醚酰亚胺封装层，接着在所述重布线层上形成第二塑封层，使得所述第二塑封层完全包裹第二半导体芯片。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种半导体芯片堆叠封装及其形成方法。

背景技术

半导体芯片芯片在诸多现代科技产品中的应用越来越重要。随着电子技术的进展，半导体芯片的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体芯片的微小化和集成化，芯片上堆叠芯片技术广泛用于制造半导体芯片的封装技术。在此半导体封装的生产中，通常涉及诸多制造步骤。然而，微型化规模的半导体芯片的制造变得越来越复杂。制造半导体芯片的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、封装裂纹、封装翘曲、电磁干扰、或是组件剥离。因此，半导体芯片封装的结构与制造的修饰有许多挑战。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体芯片堆叠封装及其形成方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种半导体芯片堆叠的制备方法，包括以下步骤：

1)提供一封装基板，提供第一半导体芯片，将所述第一半导体芯片倒装安装在所述封装基板上。

2)接着在所述第一半导体芯片上旋涂含有聚醚酰亚胺的N-甲基吡咯烷酮溶液，以形成第一聚醚酰亚胺封装层，所述第一聚醚酰亚胺封装层覆盖所述第一半导体芯片的上表面和侧表面。

3)接着在所述第一聚醚酰亚胺封装层上旋涂含有镍纳米线的悬浮液，其中，所述含有镍纳米线的悬浮液中镍纳米线的浓度为30-60mg/ml；接着进行烘干处理，以形成第一镍纳米线网格层。

4)接着在所述第一镍纳米线网格层上旋涂含有聚醚酰亚胺的N-甲基吡咯烷酮溶液，以形成第二聚醚酰亚胺封装层。

5)接着在所述第二聚醚酰亚胺封装层上旋涂含有镍纳米线的悬浮液，其中，所述含有镍纳米线的悬浮液中镍纳米线的浓度为5-25mg/ml；接着进行烘干处理，以形成第二镍纳米线网格层。

6)接着在所述第二镍纳米线网格层上旋涂含有聚醚酰亚胺的N-甲基吡咯烷酮溶液，以形成第三聚醚酰亚胺封装层。

7)接着在所述封装基板上形成第一塑封层，使得所述第一塑封层完全包裹第一半导体芯片，接着对所述第一塑封层进行减薄处理，并对减薄后的所述第一塑封层进行平坦化处理。

8)接着在所述第一塑封层中形成暴露所述封装基板的通孔，接着在所述通孔中形成导电柱，接着所述第一塑封层上形成重布线层，使得所述重布线层通过所述导电柱与所述封装基板电连接。

9)接着在所述重布线层上设置第二半导体芯片。

10)接着在所述第二半导体芯片上旋涂含有聚醚酰亚胺的N-甲基吡咯烷酮溶液，以形成第四聚醚酰亚胺封装层。

11)接着在所述第四聚醚酰亚胺封装层上旋涂含有镍纳米线的悬浮液，其中，所述含有镍纳米线的悬浮液中镍纳米线的浓度为20-40mg/ml；接着进行烘干处理，以形成第三镍纳米线网格层。

12)接着在所述第三镍纳米线网格层上旋涂含有聚醚酰亚胺的N-甲基吡咯烷酮溶液，以形成第五聚醚酰亚胺封装层。