[发明专利]像素、图像传感器及电子装置

权利要求书

1.一种像素，其特征在于，包括:

第一光学传感器，用以感测光信号产生感测信号，所述第一光学传感器具有第一阴极与第一阳极，所述第一阳极耦接至第一电压源；以及

像素电路，设置于非外延衬底，所述像素电路包括:

浮置扩散区，耦接所述第一光学传感器的所述第一阴极；

重置电路，用以依据至少一控制信号在重置阶段下重置所述感测信号，所述重置电路耦接于第二电压源、第三电压源与所述浮置扩散区之间，其中所述重置电路包括:

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管，以及第一电容，其中所述第一晶体管的源极耦接所述第二电压源，所述第一晶体管的漏极耦接所述第二晶体管的源极与所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端耦接所述第三电压源，所述第二晶体管的漏极耦接所述第三晶体管的源极，以及所述第三晶体管的漏极耦接所述浮置扩散区；以及

补偿电路，用以依据所述感测信号，在感测阶段下，降低从所述重置电路流至所述第一光学传感器的电流，

其中，所述第一光学传感器设置于所述像素电路的上方 。

2.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述第一光学传感器为薄膜光电二极管，并且所述第一光学传感器覆盖所述像素电路。

3.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述第一光学传感器为互补金属氧化物半导体光电二极管，并且所述第一光学传感器覆盖所述像素电路。

4.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述第一晶体管的闸极接收所述至少一控制信号中的第一控制信号，所述第二晶体管的闸极接收所述至少一控制信号中的第二控制信号，所述第三晶体管的闸极接收所述至少一控制信号中的第三控制信号。

5.如权利要求4所述的像素，其特征在于，在所述重置阶段，所述第一控制信号、所述第二控制信号与所述第三控制信号具有不同时间长度的系统低电位，其中，所述第一控制信号具有系统低电位的时间小于所述第二控制信号具有所述系统低电位的时间，以及所述第二控制信号具有所述系统低电位的所述时间小于所述第三控制信号具有所述系统低电位的时间。

6.如权利要求4所述的像素，其特征在于，所述补偿电路耦接所述重置电路与所述浮置扩散区，其中所述补偿电路包含:

第四晶体管；

第一运算放大器，具有第一正端、第一负端与第一输出端；

第一开关；

第二开关；

第三开关；以及

第二电容，

其中，所述第四晶体管的漏极耦接所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的基极，所述第四晶体管的源极耦接所述第一输出端、所述第一开关的第二端与所述第二开关的第二端，所述第一正端耦接所述浮置扩散区，所述第一负端耦接所述第一开关的第一端与所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端耦接所述第二开关的第一端与所述第三开关的第二端，所述第三开关的第一端耦接所述第一电容的第一端。

7.如权利要求6所述的像素，其特征在于，所述第四晶体管的闸极接收所述至少一控制信号中的第四控制信号，所述第一开关用以响应所述至少一控制信号中的第五控制信号开启，所述第二开关用以响应所述至少一控制信号中的所述第二控制信号开启，所述第三开关用以响应所述至少一控制信号中的第六控制信号开启，其中所述第一控制信号与所述第五控制信号反相，以及所述第四控制信号、所述第五控制信号与所述第六控制信号在所述重置阶段下具有不同时间长度的系统高电位，其中所述第六控制信号具有所述系统高电位的时间小于所述第五控制信号具有所述系统高电位的时间，以及所述第五控制信号具有所述系统高电位的时间小于所述第四控制信号具有所述系统高电位的时间。

8.如权利要求6所述的像素，其特征在于，所述第四晶体管的漏极还耦接所述第二晶体管的源极。