[发明专利]闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法

说明书

本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似独立磁盘冗余阵列错误更正编码操作产生对应校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

原申请案的申请日是2017.04.24，申请号是201710271879.7，发明创造名称是”闪存装置及闪存存储管理方法”。

技术领域

本发明涉及一种闪存装置及闪存存储管理方法，尤其涉及一种执行类似独立磁盘冗余阵列的错误更正编码操作的闪存装置与存储管理方法。

背景技术

一般来说，对于闪存控制器执行数据写入以写入一笔数据至单层单元数据区块或是多层单元数据区块，传统的机制采用例如在一数据区块的一字符线的最后一页放置所述字符线的其他数据页所对应的校验码，使得当发生写入失败、字符线断路及字符线短路时可利用所述对应的校验码来进行一定程度的错误更正，然而，这样的数据存储率过低，例如一字符线如果包括8个数据页，则仅有7个数据页用来存数据，另一个数据页是用来存储校验码，这样一来，一个数据区块中将会有1/8的比例是用来存储校验码，而非用来存储数据，就用户的角度来说，无法被接受。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于公开一种闪存装置及对应的闪存存储管理方法，采用一种类似独立磁盘冗余阵列的错误更正编码操作，降低错误发生率，降低传统机制所需要使用的校验码数目，同时适当地将所需要的校验码存储于对应的数据页位置，令发生写入失败、字符线断路及字符线短路时仍可利用所需的校验码来进行一定程度的错误更正，解决了上述的问题。

根据本发明的实施例，公开了一种闪存装置。闪存装置包含有一闪存模块与闪存控制器，闪存模块包括多个单层单元数据区块以及至少一多层单元数据区块，闪存控制器具有多条信道分别连接至闪存模块，闪存控制器将一笔欲写入的数据分类为多群的数据，闪存控制器分别执行单层单元数据写入以及执行一类似独立磁盘冗余阵列的错误更正编码操作产生一对应的校验码，以将多群的数据以及对应的校验码写入至多个单层单元数据区块；当完成多个单层单元数据区块的写入时，闪存模块执行内部复制，将多个单层单元数据区块所存储的多群的数据以及对应的校验码，依数据的先后顺序，依序搬移写入至至少一多层单元数据区块。

根据本发明的实施例，另公开了一种闪存存储管理方法。所述方法包含有：提供一闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及至少一多层单元数据区块；将一笔欲写入的数据分类为多群的数据；分别执行单层单元数据写入以及执行一类似独立磁盘冗余阵列的错误更正编码操作产生一对应的校验码，以将多群的数据以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行一内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多群的数据以及所述对应的校验码，依数据的先后顺序，依序搬移写入至所述至少一多层单元数据区块。

附图说明

图1为本发明实施例的闪存装置的装置示意图。

图2为本发明第一实施例图1所示的闪存控制器执行SLC数据写入将某一群的数据写入至闪存模块内的一单层单元数据区块以执行一次单层单元数据区块写入操作的示意图。

图3为闪存模块内的一单层单元数据区块通过内部复制将数据写入至三层单元数据区块的示意图。

图4为本发明第一实施例图1所示的闪存控制器写入三个群的数据至闪存模块内的多个单层单元数据区块并通过内部复制将数据搬移写入至三层单元数据区块而形成一个超级区块的示意图。