[发明专利]一种巨量转移方法及巨量转移设备

权利要求书

1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上形成具有第一形状的第一半导体芯片；

在第二衬底上形成具有第二形状的第二半导体芯片；

在第三衬底上形成具有第三形状的第三半导体芯片；

设置多个过滤筛板，每个所述过滤筛板上具有多个相同的过滤孔，不同所述过滤筛板间的所述过滤孔的形状不同；

所述设置多个过滤筛板包括：

设置具有第一过滤孔的第一过滤筛板，所述第一过滤孔的形状与所述第一半导体芯片的形状相同；

设置具有第二过滤孔的第二过滤筛板，所述第二过滤孔的形状与所述第二半导体芯片的形状相同；

设置具有第三过滤孔的第三过滤筛板，所述第三过滤孔的形状与所述第三半导体芯片的形状相同；

设置一具有多个安装槽的第一暂态基板，所述安装槽的形状包括所述过滤孔的所有形状；

所述设置一具有多个安装槽的第一暂态基板包括：

在所述第一暂态基板上设置多个具有所述第一形状的安装槽；

在所述第一暂态基板上设置多个具有所述第二形状的安装槽；

在所述第一暂态基板上设置多个具有所述第三形状的安装槽；

将所述第一过滤筛板置于所述第一暂态基板的上方；

剥离位于所述第一衬底上的所述第一半导体芯片，使所述第一半导体芯片下落并穿过所述第一过滤孔；

用所述具有第一形状的安装槽收集所述第一半导体芯片；

将所述第二过滤筛板置于所述第一暂态基板的上方；

剥离位于所述第二衬底上的所述第二半导体芯片，使所述第二半导体芯片下落并穿过所述第二过滤孔；

用所述具有第二形状的安装槽收集所述第二半导体芯片；

将所述第三过滤筛板置于所述第一暂态基板的上方；

剥离位于所述第三衬底上的所述第三半导体芯片，使所述第三半导体芯片下落并穿过所述第三过滤孔；

用所述具有第三形状的安装槽收集所述第三半导体芯片；

拾取位于所述第一暂态基板上的所有半导体芯片，并将所述半导体芯片转移至第二暂态基板上；

将所述第二暂态基板上的所述半导体芯片与目标背板键合。

2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一暂态基板的厚度大于所述半导体芯片的厚度，所述半导体芯片的厚度大于所述安装槽的深度。

3.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述拾取位于所述第一暂态基板上的所有半导体芯片，并将所述半导体芯片转移至第二暂态基板上包括：

在所述第二暂态基板的一侧涂布粘性材料；

将具有所述粘性材料的第二暂态基板与位于所述第一暂态基板上的所述半导体芯片相接触；

待所述半导体芯片通过所述粘性材料稳定吸附于所述第二暂态基板上后，将所述半导体芯片从所述安装槽中抽离。

4.一种巨量转移设备，其特征在于，包括：过滤筛板、第一暂态基板和第二暂态基板；所述过滤筛板、所述第一暂态基板、所述第二暂态基板分别如权利要求1-3中任意一项所述。