[发明专利]一种晶体制备装置

权利要求书

1.一种晶体制备装置，其特征在于，包括：

生长腔体，用于放置籽晶和源材料；

加热组件，用于加热所述生长腔体；以及

温度补偿组件，用于在晶体生长过程中提供温度补偿，其中，

所述温度补偿组件位于所述生长腔体上表面和/或下表面，以及

所述温度补偿组件包括至少一个加热单元。

2.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述至少一个加热单元包括至少一个高阻石墨单元。

3.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述温度补偿组件还包括固定框架，所述固定框架包括至少一个固定单元，所述至少一个固定单元用于放置所述至少一个加热单元。

4.根据权利要求3所述的晶体制备装置，其特征在于，所述固定框架为氧化锆陶瓷板。

5.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述温度补偿组件还包括至少一个第一电极、至少一个第二电极以及电极固定板，其中：

所述电极固定板包括至少一个第一孔洞以及至少一个第二孔洞；

所述至少一个第一电极穿过所述至少一个第一孔洞，固定在所述至少一个加热单元上；以及

所述至少一个第二电极穿过所述至少一个第二孔洞，固定在所述生长腔体上表面或下表面。

6.根据权利要求5所述的晶体制备装置，其特征在于，所述电极固定板上还包括至少两个测温孔，所述至少两个测温孔位于径向相邻的第一孔洞之间或所述至少一个第二孔洞预设范围内。

7.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述晶体生长装置还包括控制组件，所述控制组件用于基于至少一个参考参数，调节所述至少一个加热单元的参数，使得所述生长腔体上表面或下表面的径向温度梯度小于预设阈值。

8.根据权利要求7所述的晶体制备装置，其特征在于，所述至少一个参考参数包括晶体类型、籽晶尺寸或晶体生长过程中与所述生长腔体相关的温度信息。

9.根据权利要求8所述的晶体制备装置，其特征在于，与所述生长腔体相关的所述温度信息包括所述至少一个加热单元处的第一温度和所述生长腔体上表面或下表面外周处的第二温度。

10.根据权利要求9所述的晶体制备装置，其特征在于，所述控制组件包括：

至少一个温度测量单元，用于测量所述第一温度以及所述第二温度。

11.根据权利要求10所述的晶体制备装置，其特征在于，所述至少一个温度测量单元通过所述温度补偿组件上的至少两个测温孔测量所述第一温度以及所述第二温度。