[发明专利]一种新型异质结电池及其制备方法

权利要求书

1.一种新型异质结电池，其特征在于，包括：硅层衬底、设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层以及设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层，其特征在于，还包括：

依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅线；

所述第一掺杂层包括浅掺层,且所述浅掺层包括浅掺n型非晶硅层；

以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；

所述第二掺杂层包括掺杂p型非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述第一掺杂层还包括：重掺层；所述重掺层和所述浅掺层交替设置在所述第一本征非晶硅层的正面，且均与所述第一本征非晶硅层相接触；且所述重掺层为重掺n型非晶硅层；

所述浅掺层还包括：第一氮化硅层，所述第一氮化硅层设置在所述浅掺n型非晶硅层的正面。

3.根据权利要求1或2所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述所述第二掺杂层还包括：第二氮化硅层，所述掺杂p型非晶硅层和所述第二氮化硅层交替设置于所述第二本征非晶硅层的背面，且均与所述第二本征非晶硅层相接触。

4.根据权利要求3所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述浅掺n型非晶硅层的厚度为5-10nm，掺杂浓度为≤3％；所述重掺n型非晶硅层的厚度为5-10nm，每个宽度为20-100μm，掺杂浓度为4-10％。

5.根据权利要求3所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述掺杂p型非晶硅层的厚度为8-10nm，每个宽度为20-100μm，掺杂浓度为3-10％。

6.根据权利要求1-5任一所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层的厚度均为5-10nm；第一TCO层和第二TCO层的厚度均为10-50nm。

7.根据权利要求3所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层的厚度均为40-70nm，折射率为2.1-2.6。

8.根据权利要求3所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述第一金属栅线与所述重掺层的位置相对应。

9.根据权利要求3所述的一种新型异质结电池，其特征在于，所述第二金属栅线与所述掺杂p型非晶硅层的位置相对应。

10.一种新型异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：对硅层衬底进行制绒清洗，形成双面绒面结构；

S2：在所述硅层衬底的正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；并在所述第一本征非晶层正面沉积浅掺n型非晶硅层；

S3：在所述浅掺n型非晶硅层的正面沉积第一氮化硅层；

S4：对完成S3步骤的所述第一氮化硅层利用掩膜方式用3-10％HF溶液分区腐蚀，将未进行掩膜保护区域的所述第一氮化硅层进行腐蚀去除后，用1-5％KOH溶液将掩膜胶去除，并对所述腐蚀的区域进行重掺n型非晶硅层沉积；

S5：在完成S2步骤所述浅掺n型非晶硅层的正面进行第一TCO层沉积，或者在完成S4步骤所述重掺n型非晶硅层和所述第一氮化硅层的正面进行第一TCO层沉积；

S6：在完成S5步骤的所述第二本征非晶硅层的背面沉积第二氮化硅层或掺杂p型非晶硅层；

S7：对完成S6步骤沉积所述第二氮化硅层的背面利用掩膜方式用3-10％HF溶液分区腐蚀，将未进行掩膜保护区域的所述第二氮化硅层进行腐蚀去除后，用1-5％KOH溶液将掩膜胶去除，并对所述腐蚀的区域进行掺杂p型非晶硅层沉积；

S8：对完成S6步骤所述掺杂p型非晶硅层的背面进行第二TCO层沉积，或者对完成S7步骤所述掺杂p型非晶硅层和所述第二氮化硅层的背面进行第二TCO层沉积；

S9：对完成S8步骤所述第一TCO层的正面和所述第二TCO层的背面分别进行金属栅线印刷，即得所述一种新型异质结电池。