[发明专利]EMCCD倍增区电极短路的检测方法

权利要求书

1.一种EMCCD倍增区电极短路的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、将EMCCD倍增区与水平区交界处的弧形区域定义为第四可疑区，定义倍增区中朝向水平区的一方为前级，朝向输出放大器的一方为后级，在输出放大器和第四可疑区之间，从后级至前级沿第四铝布线依次定义第一可疑区、第二可疑区和第三可疑区；其中，第一可疑区位于一次金属铝挡光区和输出放大器之间，且临近一次金属铝挡光区；第二可疑区和第三可疑区均位于一次金属铝挡光区和第四可疑区之间，且第二可疑区临近一次金属铝挡光区，第三可疑区临近第四可疑区；

步骤S2、将同一批次的不合格EMCCD器件分成多组，采用局部光刻刻蚀法将其中一组不合格EMCCD器件的第一可疑区的第四铝布线截断；

步骤S3、测量该组器件三次多晶硅的电极与第二二次多晶硅的电极是否短路，如果短路则判定短路点在第一可疑区到水平区之间，并执行步骤S5；否则，判定短路点在第一可疑区和输出放大器之间，并执行步骤S4；

步骤S4、在第一可疑区和输出放大器之间对短路点所在区域进行压缩；

步骤S5、另取一组新的不合格EMCCD器件，采用局部光刻刻蚀法将该组器件第二可疑区的第四铝布线截断；

步骤S6、测量该组器件三次多晶硅的电极与第二二次多晶硅的电极是否短路，如果短路则判定短路点在第二可疑区和第一可疑区之间，并执行步骤S7；否则，并判定短路点在第二可疑区和水平区之间，执行步骤S8；

步骤S7、判断故障位置在一次金属铝挡光区；

步骤S8、另取一组新的不合格EMCCD器件，采用局部光刻刻蚀法将该组器件第三可疑区的第四铝布线截断；

步骤S9、测量该组器件三次多晶硅的电极与第二二次多晶硅的电极是否短路，如果短路则判定短路点在第三可疑区和第二可疑区之间，并执行步骤S10；否则，判定短路点在第四可疑区，并执行步骤S11；

步骤S10、在第二可疑区和第三可疑区之间对短路点所在区域进行压缩；

步骤S11、对第四可疑区的短路原因进行判断。

2.根据权利要求1所述的EMCCD倍增区电极短路的检测方法，其特征在于，在所述步骤S4中，在第一可疑区和输出放大器之间对短路点所在区域进行压缩包括以下步骤：

步骤S301、在第一可疑区和输出放大器之间定义一个新的可疑区；

步骤S302、另取一组新的不合格EMCCD器件，采用局部光刻刻蚀法将该组器件新定义的可疑区处的第四铝布线截断；

步骤S303、测量三次多晶硅的电极与第二二次多晶硅的电极是否短路，如果短路则判定短路点在该可疑区与前一级可疑区之间，并执行步骤S306；否则，判定短路点在该可疑区和输出放大器之间，并执行步骤S304；

步骤S304、判断是否需要进一步压缩短路点所在区域，如果是则执行步骤S305；否则，执行步骤S312；

步骤S305、在该可疑区和输出放大器之间再定义一个可疑区，返回执行步骤S302；

步骤S306、判断是否需要进一步压缩短路点所在区域，如果是则执行步骤S307；否则，执行步骤S312；

步骤S307、在该可疑区和前一级可疑区之间定义一个新的可疑区；

步骤S308、另取一组新的不合格EMCCD器件，采用局部光刻刻蚀法将该组器件新定义的可疑区处的第四铝布线截断；

步骤S309、测量三次多晶硅的电极与第二二次多晶硅的电极是否短路，如果短路则判定短路点在该可疑区与前一级可疑区之间，并返回执行步骤S306；否则，判定短路点在该可疑区与后一级可疑区之间，并执行步骤S310；

步骤S310、判断是否需要进一步压缩短路点所在区域，如果是则执行步骤S311；否则，执行步骤S312；

步骤S311、在该可疑区和后一级可疑区之间定义一个新的可疑区；返回执行步骤S308；

步骤S312、对短路点所在区域进行判断。

3.根据权利要求2所述的EMCCD倍增区电极短路的检测方法，其特征在于，在所述步骤S10中，在第二可疑区和第三可疑区之间对短路点所在区域进行压缩包括以下步骤：

在第二可疑区和第三可疑区之间定义一个新的可疑区；并执行步骤S308。