[发明专利]应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010373804.1 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111554640A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/492 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201407 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 埋入 式基板 封装 功率 半导体 芯片 电极 结构 制备 方法 | ||
1.应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构，包括硅层和设置在所述硅层上表面上的上电极以及设置在所述硅层下表面上的下电极，所述上电极的一部分与所述硅层直接连接，上电极的另一部分与所述硅层之间设置有介质层，相邻的上电极之间通过钝化层隔离开来；所述上电极包括压焊盘Al层，其特征在于，在所述压焊盘Al层上化镀有NiAu层或者NiPdAu层,所述下电极最外层为纯铜层或者铜基合金层。
2.如权利要求1所述的应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构，其特征在于，所述铜基合金层为TiNiCu层、TiCu层或者TiNiSnCu合金层。
3.应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：制备半导体芯片，制备半导体芯片时在硅层的上表面上覆着介质层、钝化层以及压焊盘Al层，压焊盘Al层的一部分与所述硅层直接连接，压焊盘Al层的另一部分与所述硅层之间设置有介质层，相邻的压焊盘Al层之间通过钝化层隔离开来；
步骤二：在步骤一制备的半导体芯片的上表面化学镀NiAu或者NiPdAu，此制程不需要额外的掩模版，直接在Al压焊盘上沉积NiAu层或者NiPdAu层，形成具有上电极的半导体芯片；
步骤三：在步骤二制备的具有上电极的半导体芯片上表面贴膜，然后将具有上电极的半导体芯片下表面减薄到要求的厚度，然后揭膜，最后用溅射或者蒸发的方法沉积纯铜层或者铜基合金层。
4.如权利要求3所述的应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构的制备方法，其特征在于，所述铜基合金层为TiNiCu层、TiCu层或者TiNiSnCu合金层。
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