[发明专利]像素补偿电路、显示装置及补偿方法在审

专利信息
申请号: 202010374080.2 申请日: 2020-05-06
公开(公告)号: CN111445852A 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 贾玉虎 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 李汉亮
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 补偿 电路 显示装置 方法
【权利要求书】:

1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括:

驱动电路,所述驱动电路的输入端用于接收输入电压,所述驱动电路的输出端用于与有机发光二极管的阳极电连接;及

感测电路,所述感测电路分别与所述驱动电路的输出端、所述有机发光二极管的阳极电连接;

其中,当所述驱动电路与所述有机发光二极管导通时,所述感测电路用于检测所述驱动电路输出端的第一检测电压,所述驱动电路用于向所述有机发光二极管传输第一补偿电压,所述第一补偿电压根据所述第一检测电压以及所述驱动电路的输入端的输入电压确定;

当所述驱动电路与所述有机发光二极管断开时,所述感测电路用于检测所述有机发光二极管阳极的第二检测电压,当所述驱动电路与所述有机发光二极管再次导通时,所述驱动电路用于向所述有机发光二极管传输第二补偿电压,所述第二补偿电压根据所述第二检测电压以及所述有机发光二极管阴极的电压确定。

2.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动电路包括:

第一存储电容;

第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与扫描信号线电连接,所述第一薄膜晶体管的源极与数据信号线电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容电连接;及

第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的漏极与电源正极电连接,所述第二薄膜晶体管的源极经过所述有机发光二极管连接至电源负极,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极以及所述第一存储电容电连接。

3.根据权利要求2所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动电路与所述有机发光二极管导通时:

所述扫描信号线用于向所述第一薄膜晶体管的栅极传输第一电压信号,所述数据信号线用于向所述第一薄膜晶体管的源极传输第二电压信号,所述感测电路用于向所述第二薄膜晶体管的源极传输第三电压信号;

其中,所述第一电压信号与所述第二电压信号的电压差值大于所述第一薄膜晶体管的阈值电压,所述第二电压信号与所述第三电压信号的电压差值大于所述第二薄膜晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动电路与所述有机发光二极管断开时:

所述扫描信号线用于向所述第一薄膜晶体管的栅极传输第四电压信号,所述数据信号线用于向所述第一薄膜晶体管的源极传输第五电压信号,所述感测电路用于向所述第二薄膜晶体管的源极传输第六电压信号;

其中,所述第四电压信号与所述第五电压信号的电压差值大于所述第一薄膜晶体管的阈值电压,所述第五电压信号与所述第六电压信号的电压差值小于所述第二薄膜晶体管的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动电路包括:

第一存储电容;

第二存储电容,所述第二存储电容的第一端与所述电源正极电连接;

第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与扫描信号线电连接,所述第一薄膜晶体管的源极与数据信号线电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电容以及所述第二存储电容电连接;及

第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的源极与电源正极电连接,所述第二薄膜晶体管的漏极经过所述有机发光二极管连接至电源负极,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第一存储电容以及所述第二存储电容电连接。

6.根据权利要求5所述的像素补偿电路,其特征在于,所述驱动电路与所述有机发光二极管导通时:

所述扫描信号线用于向所述第一薄膜晶体管的栅极传输第七电压信号,所述数据信号线用于向所述第一薄膜晶体管的源极传输第八电压信号,所述电源正极向所述第二薄膜晶体管的源极传输第九电压信号:

其中,所述第七电压信号与所述第八电压信号的电压差值大于所述第一薄膜晶体管的阈值电压,所述第八电压信号与所述第九电压信号的电压差值小于所述第二薄膜晶体管的阈值电压。

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