[发明专利]高压二极管、高压整流电路和变频式磁控管驱动电源

说明书

本发明公开了一种高压二极管、高压整流电路和变频式磁控管驱动电源。该高压二极管包括：多个芯片，多个芯片相串联，且在多个芯片形成的串联路径上，相邻两个芯片之间通过引线框架实现串联电连接，位于起始端的芯片连接有第一接线端，位于终点端的芯片连接有第二接线端；绝缘封装层，多个芯片封装于绝缘封装层中，第一接线端和第二接线端从绝缘封装层中伸出。根据本发明的高压二极管，多个芯片通过引线框架实现串联电连接，可以增加整个二极管的耐压能力，且可使高压二极管的散热较好，此外，能够取消叠层型二极管中的焊接层，以及取消将多个芯片堆积、放入熔炉进行焊接结合的工序，进而可以削减此工序之后的芯片斜面清洗工序，有利于降低成本。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，具体而言，涉及一种高压二极管以及具有该高压二极管的高压整流电路和变频式磁控管驱动电源。

背景技术

现有的高压二极管通常为叠层型高压硅二极管，且包括多个二极管芯片，相邻两个二极管芯片之间通过焊接层实现层叠固定，整个二极管的两端通过硬钎(焊)料钎接导线，二极管芯片再通过环氧树脂实现封装。整个二极管的耐压能力是多个二极管芯片耐压能力的累加，通过增加二极管芯片数量可以提升二极管的耐压能力。

对于一定的额定电压，如果提高单个二极管芯片的耐压能力，就可以减少层积的芯片数量，但制作耐压高的二极管芯片有困难性。如果降低单个二极管芯片的耐压二极管，则二极管芯片容易制作，但必须增加叠层的芯片数量。

通常二极管芯片的叠层数是7～10个，为了使其全部的发热从小型的热传导率低的树脂壳散热并冷却，冷却结构的设计变得困难。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本发明提出一种高压二极管，冷却性能较好。

本发明还提出了一种具有上述高压二极管的高压整流电路。

本发明又提出了一种具有上述高压整流电路的变频式磁控管驱动电源。

根据本发明实施例的高压二极管包括：多个芯片，多个所述芯片相串联，且在多个所述芯片形成的串联路径上，相邻两个所述芯片之间通过引线框架实现串联电连接，位于起始端的所述芯片连接有第一接线端，位于终点端的所述芯片连接有第二接线端；绝缘封装层，多个所述芯片封装于所述绝缘封装层中，所述第一接线端和所述第二接线端从所述绝缘封装层中伸出。

根据本发明实施例的高压二极管，多个芯片通过引线框架实现串联电连接，可以增加整个二极管的耐压能力，且可使高压二极管的散热较好，此外，能够取消现有技术中叠层型二极管中的焊接层，并且可以取消将多个芯片堆积、放入熔炉进行焊接结合的特殊工序，进而可以削减在此特殊工序之后必需的芯片的斜面清洗工序，有利于降低成本。

根据本发明的一些实施例，所述引线框架包括：第一引线框架，所述第一引线框架位于所述芯片的第一侧且用于连接其中相邻两个所述芯片的第一侧；第二引线框架，所述第二引线框架位于所述芯片的第二侧且用于连接其中相邻两个所述芯片的第二侧。

具体地，其中一个芯片的第一侧通过对应的所述第一引线框架实现与串联路径上游侧芯片的第一侧电连接，所述其中一个芯片的第二侧通过对应的所述第二引线框架实现与串联路径下游侧芯片的第二侧电连接。

根据本发明的一些实施例，所述芯片具有阳极和阴极，相邻两个所述芯片的阴极与阳极反向布置。

根据本发明的一些实施例，所述引线框架包括：引线本体以及位于所述引线本体两端的芯片连接部，两端的所述芯片连接部均与所述引线本体电连接，且每个所述芯片连接部适于与对应的所述芯片电连接。

进一步地，所述引线框架还包括：散热支臂，所述散热支臂从所述芯片连接部延伸出，所述散热支臂位于所述绝缘封装层中或从所述绝缘封装层中伸出。