[发明专利]氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法有效
| 申请号： | 202010375617.7 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111430244B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曹玉洁;陈敦军;谢自力 | 申请（专利权）人： | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 二硫化钼 混合 尺度 pn 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其步骤包括：
（1）在衬底上沉积p-GaN层；
（2）在干净、平整的玻片表面放置PDMS，在胶带的表面铺一层均匀的MoS2片状晶体，用胶带粘有MoS2片状晶体的一面接触PDMS并施压，使MoS2转移到PDMS上形成MoS2膜，揭下胶带，再将步骤（1）制得的器件的p-GaN层表面反扣在PDMS上并施压，使MoS2膜转移到p-GaN层表面，制成氮化镓二硫化钼混合尺度PN结；
在进行步骤（2）之前，先在p-GaN层表面的一侧蒸镀金属电极，最后将MoS2膜转移到p-GaN层表面时，将p-GaN层表面未蒸镀电极的一侧反扣在PDMS上，金属电极不与PDMS接触。
2.根据权利要求1所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：在胶带的表面铺一层均匀的MoS2片状晶体具体为：在一片胶带表面铺一层MoS2片状晶体，然后用另一片未使用过的胶带与粘有MoS2片状晶体的胶带互粘，如此重复数次，直至胶带表面形成均匀的MoS2片状晶体层。
3.根据权利要求2所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：胶带互粘的次数为3~5次。
4.根据权利要求2所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底、Si衬底或SiC衬底。
5.根据权利要求2所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：所述p-GaN层为Mg掺杂的p-GaN，其掺杂浓度为，厚度为400-500nm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：所述电极为用物理气相沉积制备的Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度依次为30nm/150nm/50nm/100nm，与p-GaN之间形成欧姆接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
