[发明专利]放大器非线性偏移漂移校正在审
申请号: | 202010375849.2 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN111917384A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 万全 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 非线性 偏移 漂移 校正 | ||
1.放大器电路,包括:
差分输入级,被配置为接收差分输入信号,其中,所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响;和
偏移误差校正电路,耦合到所述差分输入级并被配置为向所述差分输入级施加二阶误差校正信号以减小所述偏移误差的非线性部分。
2.权利要求1所述的放大器电路,其中所述误差校正电路被配置为产生与所述放大器电路的工作温度的平方成比例的二阶误差校正信号,以减小所述偏移误差的非线性部分。
3.权利要求2所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括:
第一电流源和第二电流源,均提供对温度具有一阶依赖性的电流;
第一电路组件,具有第一温度系数的电阻并电耦合至所述第一电流源;和
第二电路组件,具有第二温度系数的电阻并电耦合至所述第二电流源,其中所述第二温度系数与所述第一温度系数不同。
4.权利要求3所述的放大器电路,其中所述第一电路组件包括在由多晶硅电阻器、扩散电阻器和n阱电阻器组成的组中,并且其中所述第二电路组件是薄膜电阻器。
5.权利要求3所述的放大器电路,其中所述第二电路组件是微调薄膜电阻器。
6.权利要求1所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括基准电流电路,该基准电流电路被配置为产生对温度具有二阶依赖性的电流信号作为所述二阶误差校正信号,并根据所述偏移误差的非线性部分来设置所述电流信号的幅度和极性。
7.权利要求6所述的放大器电路,其中所述基准电流电路被配置为使用具有二阶温度依赖性电压信号分量的电压差信号来产生电流信号。
8.权利要求6所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括配置为提供一阶温度依赖性电流的第一电流源,以及配置为提供具有恒定电流值的恒定电流的第二电流源,并且所述二阶误差校正信号是包括第二温度依赖性电流、所述一阶温度依赖性电流和所述恒定电流的电流信号。
9.权利要求6所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括电流修整电路,该电流修整电路被配置为修整所述二阶温度依赖性电流、所述一阶温度电流和所述恒定电流的值。
10.权利要求9所述的放大器电路,其中所述电流修整电路包括独立的数模转换器(DAC)电路用于所述二阶温度依赖性电流、所述一阶温度依赖性电流和恒定电流中的每个。
11.权利要求1所述的放大器电路,其中:
所述差分输入级包括初级差分输入晶体管对;和
所述偏移误差校正电路包括:
辅助差分输入晶体管对,匹配所述初级差分输入晶体管对并电耦合所述初级差分输入晶体管对;和
基准电流电路,被配置为产生二阶电流信号,并将所述二阶电流信号施加到所述辅助差分输入晶体管对,以产生二阶电压信号作为所述二阶误差校正信号。
12.权利要求1所述的放大器电路,其中:
所述差分输入级包括差分输入晶体管对;和
所述偏移误差校正电路被配置为:
产生二阶误差校正信号,该二阶误差校正信号是包括与绝对温度平方(PTAT2)分量成比例或与绝对温度平方(CTAT2)互补的电流信号;和
将所述电流信号直接施加到所述差分输入晶体管对。
13.一种校正放大器电路中的偏移误差的方法,该方法包括:
产生包括恒定信号分量、一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的二阶误差校正信号;和
将产生的二阶误差校正信号施加于所述放大器电路的差分输入级,以减小包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差,并且二阶温度依赖性信号分量包括幅度和极性以减少所述非线性偏移误差部分。
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