[发明专利]体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

压电层，

其中：

声学镜、顶电极、底电极和压电层在谐振器的厚度方向上的重叠部分构成谐振器的有效区域；

压电层的上下两侧中的至少一侧设置有凹陷部，凹陷部的底部为平坦面；

凹陷部的区域内设置有顶电极和底电极中对应的电极。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

凹陷部的下凹深度不超过压电层原始厚度的一半。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

压电层的上下两侧均设置有凹陷部，顶电极和底电极分别设置在对应的凹陷部中。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

在谐振器的厚度方向上，凹陷部之间的压电层的厚度不小于压电层原始厚度的五分之一。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

至少一个凹陷部的侧壁与凹陷底部的夹角在90°-160°的范围内。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：

压电层与基底之间设置有声学阻抗结构；

所述声学阻抗结构包括在横向方向上彼此相邻设置的第一声学阻抗层和第二声学阻抗层，第一声学阻抗层与第二声学阻抗层的声学阻抗不同，所述声学镜在谐振器的横向方向上位于所述第一声学阻抗层之间。

7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

第一声学阻抗层与第二声学阻抗层与压电层接触的部分的宽度分别为mλ₁/4和nλ₂/4，其中m和n均为奇数，λ₁和λ₂分别为第一声学阻抗层和第二声学阻抗层在谐振频率处沿横向传播的声波波长。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

m与n相同。

9.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

形成第一声学阻抗层和第二声学阻抗层中的一层的材料选自氮化铝、二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅，形成第一声学阻抗层和第二声学阻抗层中的另一层的材料自二氧化硅、掺杂二氧化硅、多晶硅、非晶硅，形成第一声学阻抗层的材料不同于形成第二声学阻抗层的材料。

10.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

所述声学镜为声学镜空腔；

所述声学镜空腔在谐振器的横向方向上的边界由所述第一声学阻抗层限定。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：

所述压电层为单晶压电层。

12.一种体声波谐振器组件，包括：

第一谐振器和第二谐振器，第一谐振器和第二谐振器均为体声波谐振器，且至少第二谐振器为根据权利要求1-11中任一项所述的谐振器，所述第一谐振器和第二谐振器共用同一压电层，且第一谐振器的压电层的原始厚度为第二谐振器的压电层的原始厚度。

13.根据权利要求12所述的谐振器组件，其中：

所述第一谐振器和第二谐振器在横向方向上相邻且分别具有第一声学阻抗结构和第二声学阻抗结构，所述两个声学阻抗结构共用至少一层第一声学阻抗层或至少一层第二声学阻抗层。

14.根据权利要求12或13所述的谐振器组件，其中：

第一谐振器的处于其有效区域内的压电层的厚度为第二谐振器的压电层的原始厚度。