[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 202010376381.9 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111540723A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 晏新海 | 申请（专利权）人： | 晏新海 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 陈文斌 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：
外壳，所述外壳上伸出设置有第一引脚、第二引脚和第三引脚；
封装底板，所述封装底板与所述外壳一体设置；
功率芯片，所述功率芯片具有正面和背面，所述功率芯片的正面贴设于所述封装底板上，所述功率芯片的正面具有连接所述第一引脚的第一电极和连接所述封装底板的第二电极，所述第二引脚连接所述封装底板，所述功率芯片的背面具有连接所述第三引脚的第三电极。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一电极为所述功率芯片的基极或栅极，所述第二电极为所述功率芯片的发射极或源极，所述第三电极为所述功率芯片的集电极或漏极。
3.如权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二引脚与所述功率芯片的发射极或源极连接，所述第三引脚与所述功率芯片的集电极或漏极连接。
4.如权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片的基极或栅极与所述第一引脚通过焊料焊接，所述功率芯片的发射极或源极通过焊料焊接于所述封装底板上，所述功率芯片的集电极或漏极与所述第三引脚通过连接件连接。
5.如权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片的集电极或漏极与所述第三引脚之间的连接件为多根导电线或导电排。
6.如权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片的基极或栅极与所述第一引脚通过连接件连接，所述功率芯片的发射极或源极通过焊料焊接于所述封装底板上，所述功率芯片的集电极或漏极与所述第三引脚连接端通过连接件连接。
7.如权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率芯片的基极或栅极与所述第一引脚之间的连接件的数量为1根导电线，所述功率芯片的集电极或漏极与所述第三引脚之间的连接件为多根导电线或导电排。
8.如权利要求1至7任意一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件为双极型晶体管BJT、场效应晶体管MOSFET、IGBT单管、IGBT模块或IPM模块。
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