[发明专利]一种可配置、可重构的逻辑计算系统、芯片及控制方法有效
申请号: | 202010376396.5 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN111737941B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 陈建军;尹宁远;金星;赵贵华;虞志益 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G06F30/343 | 分类号: | G06F30/343;G06F15/177 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 配置 可重构 逻辑 计算 系统 芯片 控制 方法 | ||
1.一种可配置、可重构的逻辑计算系统,其特征在于,包括写数据选择模块、数据输入驱动模块、MTJ树模块、逻辑配置感应模块和多级逻辑重构模块,所述MTJ树模块设有逻辑MTJ树和参考MTJ树;
所述写数据选择模块用于根据选择信号选择第一数据;
所述数据输入驱动模块用于将第一数据写入MTJ树模块;
所述逻辑配置感应模块用于根据配置信号选择逻辑MTJ树与参考MTJ树输出第一逻辑值;所述逻辑配置感应模块包括至少一个电压比较器,所述电压比较器用于输出一对互补的逻辑值;
所述多级逻辑重构模块用于对第一逻辑值进行锁存,生成第二逻辑值,并将所述第二逻辑值写回所述写数据选择模块的写数据选择端口;其中,所述多级逻辑重构模块包括第一读锁存NMOS管、第一读锁存PMOS管、第二读锁存NMOS管、第二读锁存PMOS管和锁存电路;所述第一读锁存PMOS管的漏极与所述第二读锁存PMOS管的漏极分别和所述电压比较器的第一输出端与第二输出端连接,所述第一读锁存NMOS管的漏极分别与第一读锁存PMOS管的源极和锁存电路的第一输入端连接,所述第二读锁存NMOS管的漏极分别与第二读锁存PMOS管的源极和锁存电路的第二输入端连接,所述第一读锁存NMOS管的源极和所述第二读锁存NMOS管的源极均接地。
2.根据权利要求1所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统,其特征在于,所述逻辑MTJ树用于提供第一电压信号,所述参考MTJ树用于提供第二电压信号,所述逻辑MTJ树和参考MTJ树均包括至少一对MTJ。
3.根据权利要求2所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统,其特征在于,所述数据输入驱动模块还用于根据MTJ与数据输入驱动模块的连接方式定义正存储或反存储。
4.根据权利要求3所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统,其特征在于,所述逻辑配置感应模块用于根据配置信息将所述逻辑MTJ树提供的第一电压信号和所述参考MTJ树提供的第二电压信号输出第一逻辑值。
5.根据权利要求4所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统,其特征在于,所述锁存电路包括第一或非门和第二或非门,所述第一或非门包括第一输入端、第二输入端和输出端,所述第二或非门包括第三输入端、第四输入端和输出端,所述第一读锁存NMOS管的漏极和第二或非门的输出端分别与第一或非门第一输入端和第二输入端连接,所述第二读锁存NMOS管的漏极和所述第一或非门的输出端分别与第二或非门的第三输入端和第四输入端连接。
6.一种芯片,其特征在于,包括时钟电路模块、时序控制模块、译码模块和逻辑计算模块,所述逻辑计算模块采用权利要求1-5任一项所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统。
7.一种可配置、可重构的逻辑计算系统的控制方法,其特征在于,所述控制方法应用于权利要求1-5任一项所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统,所述方法包括以下步骤:
获取选择信号,根据选择信号将写数据选择模块选择的第一数据写入MTJ树模块,所述MTJ树模块设有逻辑MTJ树和参考MTJ树;
获取配置信号,根据配置信号选择逻辑MTJ树与参考MTJ树输出第一逻辑值;
获取锁存指令,根据锁存指令对第一逻辑值进行锁存后,生成第二逻辑值,并将所述第二逻辑值写回写数据选择模块写数据选择端口。
8.根据权利要求7所述的一种可配置、可重构的逻辑计算系统的控制方法,其特征在于,所述获取配置信号,根据配置信号选择逻辑MTJ树与参考MTJ树输出第一逻辑值这一步骤,具体包括:
获取配置信号,并选择逻辑MTJ树和参考MTJ树;
结合配置信号、所述逻辑MTJ树提供的第一电压信号与所述参考MTJ树提供的第二电压信号输出第一逻辑值。
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