[发明专利]电阻式存储器装置

说明书

本发明实施方式提供一种电阻式存储器装置。电阻式存储器装置包括衬底、隔离结构、字线、源极线、位线及电阻式存储器。衬底包括主体区、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区由主体区隔开。隔离结构配置于衬底中，且第二掺杂区与第三掺杂区由隔离结构隔开。字线配置于衬底上，第一掺杂区与第二掺杂区位于字线的相对两侧，且第一掺杂区与第三掺杂区位于字线的相对两侧。源极线配置于衬底上且与第一掺杂区电性连接。位线配置于衬底上。电阻式存储器配置于衬底上，且第三掺杂区经由电阻式存储器电性连接于位线。所述电阻式存储器装置可在具有一个单一的晶体管同时连接多个存储器的结构的情况下，避免产生潜泄漏电流。

技术领域

本发明涉及一种存储器装置，尤其涉及一种电阻式存储器装置。

背景技术

为了在相同面积下达到高存储容量，目前发展出一个单一的晶体管同时连接多个存储器的结构(即1TnR结构，n为大于1的整数)。对于高密度的电阻式随机存取存储器来说，会遇到潜泄漏电流(sneak current)的问题，其会使得相邻的存储器在操作过程中对彼此造成影响，导致可靠度下降。

发明内容

本发明提供一种电阻式存储器装置，其可在具有一个单一的晶体管同时连接多个存储器的结构(即1TnR结构，n为大于1的整数)的情况下，避免产生潜泄漏电流(sneakcurrent)。

本发明的电阻式存储器装置包括衬底、隔离结构、字线、源极线、第一位线及第一电阻式存储器。衬底包括主体区、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，其中第一掺杂区与第二掺杂区由主体区隔开。隔离结构配置于衬底中，其中第二掺杂区与第三掺杂区由隔离结构隔开。字线配置于衬底上，其中第一掺杂区与第二掺杂区位于字线的相对两侧，且第一掺杂区与第三掺杂区位于字线的相对两侧。源极线配置于衬底上，且与第一掺杂区电性连接。第一位线配置于衬底上。第一电阻式存储器配置于衬底上，其中在衬底的厚度方向上，第一电阻式存储器位于衬底与第一位线之间，且第三掺杂区经由第一电阻式存储器电性连接于第一位线。

基于上述，在本发明的电阻式存储器装置中，衬底中的位于字线的相对两侧的第一掺杂区与第二掺杂区由衬底的主体区隔开，衬底中的第二掺杂区与第三掺杂区由隔离结构隔开，源极线电性连接于第一掺杂区，且第三掺杂区经由电阻式存储器电性连接于位线，藉此在电阻式存储器装置的操作过程中，设置于第二掺杂区与第三掺杂区之间的隔离结构可作为控制电阻式存储器与晶体管导通或断开的开关。如此一来，在电阻式存储器装置的操作过程中，潜泄漏电流(sneak current)的传递路径被切断，藉此可准确读取经选择的电阻式存储器的电流并判读状态。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施方式的电阻式存储器装置的上视示意图；

图2是沿图1的剖线I-I’的剖面示意图；

图3是沿图1的剖线II-II’的剖面示意图；

图4是沿图1的剖线III-III’的剖面示意图；

图5是对图1的电阻式存储器装置中的部分存储器执行电压施加操作时的状态剖面示意图；

图6是依照本发明的另一实施方式的电阻式存储器装置的上视示意图；

图7是依照本发明的另一实施方式的电阻式存储器装置的上视示意图；

图8是依照本发明的另一实施方式的电阻式存储器装置的上视示意图。

附图标记说明

10、20、30、40：电阻式存储器装置

100：衬底

110：隔离结构

A：箭头