[发明专利]接触电阻监测器件及其制作方法、显示面板

说明书

本申请提供一种接触电阻监测器件及其制作方法、显示面板，所述接触电阻监测器件包括基板、设置于所述基板上的栅极金属层、设置于所述基板上的层间介电层、设置于所述层间介电层的凹孔内的源漏极金属层、以及设置于所述层间介电层及所述源漏极金属层上的像素电极层。本申请通过将源漏极金属层设置于层间介电层的凹孔中，避免了源漏极金属层因自身的凹陷表面而导致的像素电极层断裂，有利于保证通过该接触电阻监测器件测得的像素电极层与源漏极金属层之间的接触电阻准确性和稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种接触电阻监测器件及其制作方法、显示面板。

背景技术

显示面板的驱动电路中广泛使用薄膜晶体管技术，薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，漏极电性连接像素电极；通过施加在栅极上的电压控制源极与漏极之间的电性导通状况，进而控制像素电极的工作状态。因此，漏极与像素电极之间的接触电阻的大小决定了驱动电路的功耗大小及像素电极的相应速度。

现有技术测试显示面板中薄膜晶体管漏极与像素电极之间接触电阻的方法是通过设置在显示面板非显示区的电阻监测器件完成的。如图1所示，现有技术中的电阻监测器件包括基板1、栅极金属层2、层间介电层3、源漏极金属层4、及像素电极层5，其中源漏极金属层4由钛-铝-钛三层金属叠层制作而成，在源漏极金属层4制作过程中，需要使用蚀刻技术，但是金属铝的蚀刻速度远大于金属钛，导致最终制得的源漏极金属层表面形成凹陷区K；之后在源漏极金属层4上继续制作像素电极层5时，容易在凹陷区K处出现像素电极层5的断口，影响像素电极层5的导电性，进而导致该电阻监测器件无法正确反映像素电极与薄膜晶体管漏极之间的接触电阻。

发明内容

基于上述现有技术中的不足，本申请提供的接触电阻监测器件将源漏极金属层下沉式的设置于层间介电层的凹孔中，使所述层间介电层与所述源漏极金属层形成较为平整的表面，有利于保持设置于所述层间介电层和所述源漏极金属层上的像素电极层的良好的导电性，使通过该接触电阻监测器件测得的像素电极层与源漏极金属层之间的接触电阻更加准确。

本申请提供一种接触电阻监测器件，应用于显示面板中的源漏极金属层与像素电极层之间的接触电阻的监测，设置于显示面板的非显示区中，所述接触电阻监测器件包括：

基板；

栅极金属层，设置于所述基板上；

层间介电层，设置于所述基板上，所述层间介电层上设置有凹孔，所述凹孔将所述栅极金属层暴露；

源漏极金属层，设置于所述凹孔内，与所述栅极金属层电性连接；

像素电极层，设置于所述层间介电层及所述源漏极金属层上，与所述源漏极金属层电性连接。

根据本申请一实施例，所述源漏极金属层完全覆盖所述凹孔。

根据本申请一实施例，所述源漏极金属层的厚度与所述凹孔的高度相等，使所述源漏极金属层完全填充所述凹孔。

根据本申请一实施例，所述像素电极层与位于所述显示面板的显示区中的像素电极电性连接。

根据本申请一实施例，所述源漏极金属层为钛-铝-钛三层金属的叠层结构。

本申请还提供一种接触电阻监测器件制作方法，所述接触电阻监测器件应用于显示面板中的源漏极金属层与像素电极层之间的接触电阻的监测，所述制作方法包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区；

在所述基板的非显示区上制作栅极金属层；

在所述基板上制作层间介电层，使所述层间介电层覆盖所述栅极金属层；

在所述层间介电层上形成凹孔，使所述栅极金属层通过所述凹孔暴露；