[发明专利]基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用

权利要求书

1.一种基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，采用掺杂剂对将n-型有机半导体晶体进行化学掺杂，所述掺杂剂为有机胺，所述有机胺的化学结构式如下：

其中，n＝1或2；

所述n-型有机半导体晶体为Cl₂-NDI、PDIF-CN₂或F₂-TCNQ。

2.如权利要求1所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，n＝1。

3.如权利要求1所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，当n-型有机半导体晶体为Cl₂-NDI时，掺杂剂的用量为100～150μL；当n-型有机半导体晶体为PDIF-CN₂时，掺杂剂的用量为50～60μL；当n-型有机半导体晶体为F₂-TCNQ时，掺杂剂的用量为20～30μL。

4.如权利要求1所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，所述化学掺杂的过程为：真空条件下，将掺杂剂加热，使掺杂剂升华，将n-型有机半导体晶体加热至40～50℃，通过载气将升华后的掺杂剂输送至加热的n-型有机半导体晶体进行化学掺杂。

5.如权利要求4所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，掺杂剂加热后的温度高于n-型有机半导体晶体加热的温度。

6.如权利要求4所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，将掺杂剂放置在管式炉的一端，将n-型有机半导体晶体放置在管式炉的另一端，将管式炉抽真空，从放置掺杂剂的管式炉一端向另一端通入载气，分别对管式炉的两端加热。

7.如权利要求4所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，载气的通入速度为0.5～1.5mL/min；

或，掺杂完毕后，增加载气的流速，清除残留的掺杂剂；

或，真空条件为：0.05～0.15torr。

8.一种权利要求1～7任一所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法在制备n-型有机半导体晶体作为传输层的有机光电器件中的应用。

9.一种有机光电器件，其特征是，传输层为n-型有机半导体晶体，采用权利要求1～7任一所述的修复方法改性获得。

10.一种扫描开尔文探针显微镜在检测权利要求1～7任一基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法中的应用。