[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置包括：

处理容器，其收纳基板；

载置台，其设于所述处理容器内，用于载置所述基板；

气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；

排气机构，其经由排气管将所述处理容器内的气体排出；

等离子体生成机构，其通过使供给到所述处理容器内的所述处理气体等离子体化从而在所述处理容器内生成等离子体；以及

偏压电力供给机构，其向所述载置台供给偏压用的高频电力，

在与所述处理容器的壁部连接的所述排气管的排气口设有网构件，该网构件由导电性的构件构成，并与接地电位连接，

所述网构件形成有在所述网构件的厚度方向上贯通的多个贯通孔，

所述网构件的厚度与各个所述贯通孔的开口的宽度之比为0.67以上。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

各个所述贯通孔的开口的形状为圆形，

所述开口的宽度为所述开口的直径。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

各个所述贯通孔的开口的直径为5mm以下。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其中，

相邻的三个所述贯通孔以各个所述贯通孔的开口的中心位于正三角形的三个顶点的各位置的方式配置。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述网构件为不锈钢、镍或镍合金。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述网构件由热传导率为200W/m·K以上的材料形成。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

所述网构件由以铝为主要成分的金属形成。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，

所述网构件的表面利用耐腐蚀性材料涂敷，与所述金属相比，腐蚀性气体对所述耐腐蚀性材料的腐蚀性较低。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

形成有所述排气口的所述壁部为所述处理容器的底壁。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置还包括浮动网构件，该浮动网构件设于所述网构件的附近的、隔着所述网构件与所述排气管相反的一侧，该浮动网构件为电浮动状态。