[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，包括：

半导体层，包括主单元区域、传感器区域以及在所述主单元区域与所述传感器区域之间的绝缘区域；

多个功率半导体晶体管，设置在所述主单元区域上；

多个电流传感器晶体管，设置在所述传感器区域上；以及

保护电阻层，跨所述绝缘区域设置在所述半导体层上，在异常操作条件下使得所述多个功率半导体晶体管的至少一部分与所述多个电流传感器晶体管的至少一部分彼此连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，所述保护电阻层连接至所述多个功率半导体晶体管的至少一部分的阱区域和所述多个电流传感器晶体管的至少一部分的阱区域中的每一个。

3.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其中，所述保护电阻层包括具有调节的掺杂浓度的多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，所述多个功率半导体晶体管的至少一部分和所述多个电流传感器晶体管的至少一部分共享栅电容。

5.根据权利要求4所述的功率半导体装置，其中，所述多个功率半导体晶体管的至少一部分和所述多个电流传感器晶体管的至少一部分共享栅电极。

6.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，所述多个功率半导体晶体管的栅电极和所述多个电流传感器晶体管的栅电极以条纹型的方式布置，并且

设置在同一条线上的所述多个功率半导体晶体管的栅电极和所述多个电流传感器晶体管的栅电极跨所述绝缘区域而彼此连接。

7.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，在所述主单元区域和所述传感器区域的所述半导体层中分别设置有阱区域和源极区域，并且

所述阱区域和所述源极区域未设置在所述绝缘区域的半导体层中，并且漂移区域在所述绝缘区域的半导体层中延伸。

8.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，被配置为用作所述多个电流传感器晶体管的输出端的电流传感器端子设置在所述主单元区域和所述传感器区域之外的所述半导体层上。

9.一种功率半导体装置，包括：

开尔文发射极端子和发射极端子，连接至设置在主单元区域中的多个功率半导体晶体管的发射极电极；

栅极端子，连接到所述功率半导体晶体管的栅电极；

电流传感器端子，连接到设置在所述传感器区域中的多个电流传感器晶体管，以便监视所述多个电流传感器晶体管的电流；以及

保护电阻层，设置在跨所述主单元区域和所述传感器区域之间的绝缘区域的半导体层上，在异常操作条件下使得所述发射极端子和所述电流传感器端子彼此连接。

10.根据权利要求9所述的功率半导体装置，其中，所述保护电阻层连接至所述多个功率半导体晶体管的至少一部分的阱区域和所述多个电流传感器晶体管的至少一部分的阱区域中的每一个。

11.根据权利要求9所述的功率半导体装置，其中，所述多个功率半导体晶体管的至少一部分和所述多个电流传感器晶体管的至少一部分共享栅电容。

12.根据权利要求9所述的功率半导体装置，其中，所述多个功率半导体晶体管的栅电极和所述多个电流传感器晶体管的栅电极以条纹型的方式布置，并且

设置在同一条线上的所述多个功率半导体晶体管的栅电极和所述多个电流传感器晶体管的栅电极跨所述绝缘区域而彼此连接。