[发明专利]一种气刀刮膜设备、高导热界面材料制备方法和刮膜方法

权利要求书

1.一种基于气刀刮膜设备的高导热界面材料制备方法，其特征在于按以下步骤进行：

将各原料进行混合，得到聚合物胶体，然后将聚合物胶体注入到胶桶中；其中，聚合物胶体的粘度在2Pa.S以上；

聚合物胶体包括按重量份计的如下原料：硅胶单体100份，凝聚剂0.1～5份，铂金催化剂0.1～3份；

 ①涂覆步骤：

提供恒定的压力使聚合物胶体由胶桶的灌胶通道均匀的涂覆在碳纳米管阵列上，聚合物渗透进碳纳米管阵列的孔隙中；

②刮膜步骤：

涂覆过聚合物胶体的碳纳米管阵列经过载样传送带运输到气刀室下方，经气刀室的微孔喷射出的气流刮掉高出碳纳米管阵列本身高度的多余的聚合物胶体，只保留渗透进碳纳米管孔隙中的聚合物胶体，达到既增加了碳纳米管阵列本身机械强度又不会影响其导热性能的目的；

最后将经过微孔气刀刮膜设备处理过的碳纳米管阵列热界面材料经过干燥箱固化成型，得到成型的碳纳米管阵列热界面材料；

通过光学传感器测量碳纳米管阵列以及其经过聚合物复合加工后的高度，调整微孔气刀喷射气流的强度和角度。

2.根据权利要求1所述的基于气刀刮膜设备的高导热界面材料制备方法，其特征在于：所述硅胶包括乙烯基硅油和含氢硅油中的一种或两种组合。

3.根据权利要求1或2所述的基于气刀刮膜设备的高导热界面材料制备方法，其特征在于：气刀刮膜设备包括载样传送带（1），所述的载样传送带（1）入口端的上方设有胶桶（2），所述的载样传送带（1）的尾端设有干燥箱（3），所述的胶桶（2）与干燥箱（3）间设有气刀室（4）；

所述的胶桶（2）的左侧端设有一号激光测距仪（5），所述的气刀室（4）中设有一号微孔气刀室（6）和二号微孔气刀室（7），所述的一号微孔气刀室（6）的左侧端设有二号激光测距仪（8），所述的一号微孔气刀室（6）与二号微孔气刀室（7）间设有三号激光测距仪（9）；

所述的一号激光测距仪（5）、二号激光测距仪（8）、三号激光测距仪（9）、一号微孔气刀室（6）与二号微孔气刀室（7）分别与载样传送带（1）呈对应分布。

4.根据权利要求3所述的基于气刀刮膜设备的高导热界面材料制备方法，其特征在于：所述的一号微孔气刀室（6）与二号微孔气刀室（7）二者结构相等；所述的一号微孔气刀室（6）的上部设有气刀进气口（10），所述的一号微孔气刀室（6）的底部设有气刀出气口（11），所述的一号微孔气刀室（6）中设有20～30个微孔气刀（12），所述的一号微孔气刀室（6）中每个微孔气刀（12）的孔径为0.5～1mm。

5.根据权利要求1所述的基于气刀刮膜设备的高导热界面材料制备方法，其特征在于：固化成型的具体过程如下：将经过微孔气刀刮膜设备处理过的碳纳米管阵列热界面材料通过载样传送带进入120摄氏度的干燥箱内固化成型。

6.根据权利要求1所述的基于气刀刮膜设备的高导热界面材料制备方法，其特征在于：一号激光测距仪用于测量制备好的连续碳纳米管阵列在与聚合物胶体复合加工前的高度，并反馈给控制模块；

胶桶用于装载聚合物胶体，通过灌胶通道将聚合物胶体均匀涂覆在碳纳米管阵列表面；

二号激光测距仪用于测量碳纳米管阵列通过胶桶后，经过聚合物胶体复合加工后的高度，并反馈给控制模块；

控制模块通过两次激光测距仪测量的高度差调整微孔气刀的气流强度和角度，反馈给气刀室，实时调整微孔气刀的气流强度和角度；

微孔气刀的气流强度和角度根据控制模块反馈的高度差调整；

三号激光测距仪用于测量经过微孔气刀刮膜后的碳纳米管阵列复合材料的高度，其测量高度应与一号激光测距仪的测量结果一致。