[发明专利]光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统在审
| 申请号： | 202010379863.X | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111988088A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 杉目知丈 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H04B10/25 | 分类号： | H04B10/25;H01S5/042;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 供电系统 供电 装置 以及 | ||
1.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。
2.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。
3.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为金刚石。
4.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氧化镓。
5.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氮化铝。
6.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为GaN。
7.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。
8.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。
9.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为金刚石。
10.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氧化镓。
11.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氮化铝。
12.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为GaN。
13.一种光供电系统，其特征在于，具备：
权利要求1～6中任一项所述的供电装置；和
包含将该供电装置的供电光变换成电力的光电变换元件的受电装置。
14.一种光供电系统，其特征在于，具备：
包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器的供电装置；
和以该供电光为输入的权利要求7～12中任一项所述的受电装置。
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