[发明专利]磁存储用磁性复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种磁存储用磁性复合膜，其特征在于：该磁性复合膜以非磁性硅晶片为衬底，在其表面依次设置软磁层、合金硬磁层、钡铁氧体硬磁层；所述合金硬磁层为具有垂直磁各向异性的[FePt/FeCo]_N复合膜层，N为周期数，取2～5之间的自然数，其中，FePt合金层中Fe、Pt的摩尔比为1：(0.5～1.1)，FeCo合金层中Fe、Co的摩尔比为1：(1～1.5)。

2.根据权利要求1所述一种磁存储用磁性复合膜，其特征在于，所述软磁层原料为锰锌铁氧体软磁粉、镍锌铁氧体软磁粉中的一种，厚度为10～20nm。

3.根据权利要求1所述一种磁存储用磁性复合膜，其特征在于，所述[FePt/FeNi]_N复合膜层中的单层FePt合金层厚度为2.5～5nm。

4.根据权利要求1所述一种磁存储用磁性复合膜，其特征在于，所述[FePt/FeNi]_N复合膜层中的单层FeCo合金层厚度为1.5～3nm。

5.根据权利要求1所述一种磁存储用磁性复合膜，其特征在于，所述钡铁氧体硬磁层厚度为10～25nm。

6.如权利要求1～5任意一项所述一种磁存储用磁性复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：前处理：将硅晶片洗净、烘干；

S2：溅镀软磁层：在氩气气氛下，控制气流量为50～80sscm，以硅晶片为基体，以软磁粉作为靶材，利用射频磁控溅射法进行溅镀，溅射功率为100～150W，靶电流密度为0.8～1.0mA/cm²；

S3：溅镀[FePt/FeCo]_N合金硬磁层：在体积比为9:1的氩气和氢气混合气氛下，控制气流量为50～80sscm，以镀过的软磁层的硅晶片为基体，以摩尔比为1：(0.5～1.1)的Fe、Pt混合金属为靶材，进行射频磁控溅镀，继续以摩尔比为1：(1～1.5)的Fe、Co混合金属为靶材，进行射频磁控溅镀，再将上述溅镀过程重复N-1次；所述过程的溅射功率为80～120W，靶电流密度为1.0～1.2mA/cm²；

S4：溅镀BaFe₁₂O₁₉硬磁层：在氩气气氛下，控制气流量为50～80sscm，以镀过的合金硬磁层的硅晶片为基体，以钡铁氧体磁粉为靶材，进行射频磁控溅镀，溅射功率为100～150W，靶电流密度为0.8～1.0mA/cm²。