[发明专利]恒磁场结构

权利要求书

1.恒磁场结构，其特征在于：包括相对布置的第一磁体和第二磁体，第一磁体和第二磁体之间具有距离，第一磁体和第二磁体之间形成容纳工作件的恒磁场区；工作件为微波真空器件，恒磁场结构是用于为微波真空器件电子注聚焦提供磁场源；恒磁场结构是用于在120mm范围内提供超过4000Gs的磁场，在100mm范围内提供超过6000Gs的磁场；

第一磁体包括第一导磁体和第一恒磁体，第二磁体包括第二导磁体和第二恒磁体，第一导磁体位于第一恒磁体的中心处，第二导磁体位于第二恒磁体的中心处，第一导磁体与第二导磁体为相对布置且第一导磁体和第二导磁体采用导磁材料制成，第一恒磁体与第二恒磁体为相对布置且第一恒磁体和第二恒磁体采用永磁材料制成，恒磁场区位于第一导磁体和第二导磁体之间；

第一导磁体和第二导磁体均为为圆柱体，第一导磁体和第二导磁体的直径大小相同，第一导磁体和第二导磁体为同轴设置；第一恒磁体为圆环形结构，第一导磁体嵌入第一恒磁体的中心孔中，第一导磁体的直径与第一恒磁体的中心孔的直径大小相同，第一恒磁体与第一导磁体为同轴设置；第二恒磁体为圆环形结构，第二导磁体嵌入第二恒磁体的中心孔中，第二导磁体的直径与第二恒磁体的中心孔的直径大小相同，第二恒磁体与第二导磁体为同轴设置，第一恒磁体的外直径与第二恒磁体的外直径大小相同；第一导磁体的一端插入第一恒磁体的中心孔中，第一导磁体的另一端位于第一恒磁体外，第二导磁体的一端插入第二恒磁体的中心孔中，第二导磁体的另一端位于第二恒磁体外，且第一导磁体的另一端与第一导磁体的另一端相对，使得形成的恒磁场区位于第一导磁体和第二导磁体之间，恒磁场区为工作件的安置区；

第一磁体还包括与第一恒磁体为同轴设置的第一辅恒磁体，第二磁体还包括与第二恒磁体为同轴设置且与第一辅恒磁体为相对布置的第二辅恒磁体，第一辅恒磁体和第二辅恒磁体位于第一恒磁体和第二恒磁体之间，第一辅恒磁体和第二辅恒磁体采用永磁材料制成；

第一辅恒磁体为圆环形结构，第一辅恒磁体的外直径与第一恒磁体的外直径大小相同，第一恒磁体的内直径小于第一辅恒磁体的内直径，第一导磁体的一端位于第一恒磁体的中心孔中，第一导磁体的另一端位于第一辅恒磁体的中心孔中；第二辅恒磁体为圆环形结构，第二辅恒磁体的外直径与第二恒磁体的外直径大小相同，第二恒磁体的内直径小于第二辅恒磁体的内直径且第二辅恒磁体的内直径与第一辅恒磁体的内直径大小相同，第二辅恒磁体的外直径与第一辅恒磁体的外直径大小相同，第二导磁体的一端位于第二恒磁体的中心孔中，第二导磁体的另一端位于第二辅恒磁体的中心孔中，第二辅恒磁体与第一辅恒磁体之间具有一定的距离；

第一辅恒磁体和第二辅恒磁体充磁方向采用径向充磁，且第一辅恒磁体和第二辅恒磁体的充磁方向相反，如第一辅恒磁体的充磁方向为沿径向向内，则第二辅恒磁体的充磁方向应沿径向向外；

第一磁体还包括第一屏蔽筒，第二磁体还包括第一屏蔽筒为相对布置的第二屏蔽筒，第一屏蔽筒和第二屏蔽筒采用导磁材料制成，第一恒磁体和第一辅恒磁体位于第一屏蔽筒的内部，第二恒磁体和第二辅恒磁体位于第二屏蔽筒的内部；

第一屏蔽筒为圆环形结构，第一恒磁体和第一辅恒磁体位于第一屏蔽筒的中心孔中，第一恒磁体的外直径与第一屏蔽筒的内直径大小相同，第一恒磁体的外圆面和第一辅恒磁体的外圆面与第一屏蔽筒的内圆面贴合，第一屏蔽筒的厚度与第一恒磁体和第一辅恒磁体的厚度之和大小相同，第一恒磁体的一端端面与第一辅恒磁体的一端端面贴合，第一恒磁体的另一端端面与第一屏蔽筒的一端端面为同平面，第一辅恒磁体的另一端端面与第一屏蔽筒的另一端端面为同平面；

第二屏蔽筒为圆环形结构，第二恒磁体和第二辅恒磁体位于第二屏蔽筒的中心孔中，第二恒磁体的外直径与第二屏蔽筒的内直径大小相同，第二恒磁体的外圆面和第二辅恒磁体的外圆面与第二屏蔽筒的内圆面贴合，第二屏蔽筒的厚度与第二恒磁体和第二辅恒磁体的厚度之和大小相同，第二恒磁体的一端端面与第二辅恒磁体的一端端面贴合，第二恒磁体的另一端端面与第二屏蔽筒的一端端面为同平面，第二辅恒磁体的另一端端面与第二屏蔽筒的另一端端面为同平面；

第一磁体还包括第一结构件，第二磁体还包括第二结构件，第一结构件和第二结构件采用非磁性材料制成，第一屏蔽筒和第一恒磁体设置于第一结构件上，第二屏蔽筒和第二恒磁体设置于第二结构件上，第一屏蔽筒和第二屏蔽筒位于第一结构件和第二结构件之间；

第一结构件为圆盘状结构，第一结构件与第一屏蔽筒、第一恒磁体、第一辅恒磁体和第一导磁体均为同轴设置，第一结构件的外直径与第一屏蔽筒的外直径大小相同，第一屏蔽筒、第一恒磁体和第一导磁体为固定设置在第一结构件上；

第二结构件为圆盘状结构，第二结构件与第二屏蔽筒、第二恒磁体、第二辅恒磁体和第二导磁体均为同轴设置，第二结构件的外直径与第二屏蔽筒的外直径大小相同，第二屏蔽筒、第二恒磁体和第二导磁体为固定设置在第二结构件上；

连接架、第一屏蔽筒、第二屏蔽筒、第一导磁体和第二导磁体的内部磁场处于非饱和状态；

所述恒磁场结构还包括与第一磁体和第二磁体连接的连接架，连接架采用导磁材料制成，连接架设置多四个且所有连接架为沿周向均匀分布；连接架位于第一屏蔽筒和第二屏蔽筒的外部，连接架的一端与第一屏蔽筒连接，连接架的另一端与第二屏蔽筒连接，所有连接架是在第一屏蔽筒的外部沿周向均匀分布，周向上每相邻的两个连接架之间留有空隙，工作件经两个连接架之间的空隙被放入恒磁场区；

第一磁体和第二磁体之间的距离可调节，使得恒磁场区的大小可调节；第一磁体和第二磁体之间的距离通过调节连接件尺寸，使得恒磁场区的磁场大小可调节；

连接架是通过第一螺栓与第一屏蔽筒连接，连接架是通过第二螺栓与第二屏蔽筒，第一屏蔽筒的外圆面上设置让第一螺栓插入的内螺纹孔，第二屏蔽筒的外圆面上设置让第二螺栓插入的内螺纹孔，连接架上设置让第一螺栓穿过的第一安装孔和让第二螺栓穿过的第二安装孔，第一安装孔和第二安装孔为沿连接架的厚度方向贯穿设置的通孔；

连接架具有长度大小不同的多种型号，连接架的长度方向与第一屏蔽筒和第二屏蔽筒的轴线相平行，不同长度的连接架上的第一安装孔和第二安装孔之间的距离大小不同，通过更换连接架，实现第一磁体和第二磁体之间的距离的调节。