[发明专利]像素结构及液晶显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

至少两条扫描线和至少两条数据线，所述扫描线和所述数据线交错设置围合成像素区，所述像素区包括：

像素电极，通过TFT器件连接所述扫描线和所述数据线；

遮光矩阵，设置于相邻所述像素区之间；以及，

公共电极线，至少沿所述像素电极外侧设置形成框型电极；其中，所述公共电极线靠近所述遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在所述像素结构的厚度方向上，所述凹部的内拐角被所述遮光矩阵覆盖，所述凹部的外拐角在所述遮光矩阵的覆盖区之外。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹部的外拐角中任一平行于所述遮光矩阵的边，在所述遮光矩阵的覆盖区之外，其余部分位于所述遮光矩阵的覆盖区内。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述内拐角为90°至180°范围内，所述外拐角为0°至90°范围内。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹部为矩形、波浪形或锯齿形截面，所述凹部垂直高度为3至20um范围内。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极线膜层之间还设置有色阻层。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素区包括主像素部和子像素部，其中，所述主像素部具有第一薄膜晶体管和第一像素电极；所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；所述子像素部具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述子像素部还包括分享薄膜晶体管，所述分享薄膜晶体管具有第三栅极、第三源极、第三漏极，所述第三栅极与所述扫描线连接，所述第三源极与所述第二漏极连接，所述第三漏极与所述像素结构中分享电极线连接；所述分享薄膜晶体管用于对所述子像素部的亮度进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素部的亮度相同。

8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述分享电极线位于所述公共电极线上方，所述公共电极线和所述分享电极线的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一所述像素结构。