[发明专利]气相沉积装置在审
申请号: | 202010380106.4 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111501024A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 王质武 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455;B08B5/02 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 装置 | ||
1.一种气相沉积装置,其特征在于,包括:反应腔、气体喷淋装置,以及清洗气体通道;
所述气体喷淋装置包括反应气体通道,所述反应气体通道包括连通所述反应腔的出口;
所述清洗气体通道与所述反应气体通道间隔设置。
2.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,所述清洗气体通道位于所述反应气体通道的所述出口的下方。
3.根据权利要求2所述的气相沉积装置,其特征在于,所述反应气体通道包括间隔设置的第一反应气体通道和第二反应气体通道;所述第一反应气体通道包括连通所述反应腔的第一出口,所述第二反应气体通道包括连通所述反应腔的第二出口,所述清洗气体通道位于所述第一出口和所述第二出口的下方。
4.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,所述气相沉积装置还包括背板,所述背板位于所述气体喷淋装置上方,所述背板具有与所述反应腔外部连通且与所述反应气体通道连通的进气孔。
5.根据权利要求3所述的气相沉积装置,其特征在于,所述第一反应气体通道与所述反应腔外部连通,第一气体通过所述第一反应气体通道的所述第一出口进入所述反应腔;所述第二反应气体通道与所述反应腔外部连通,第二气体通过所述第二反应气体通道的所述第二出口进入所述反应腔。
6.根据权利要求5所述的气相沉积装置,其特征在于,所述第一气体包括氧化性气体或还原性气体的其中之一。
7.根据权利要求6所述的气相沉积装置,其特征在于,所述第二气体包括氧化性气体或还原性气体的其中另一。
8.根据权利要求6或7所述的气相沉积装置,其特征在于,所述氧化性气体包括氧气、一氧化二氮;所述还原性气体包括硅烷、磷化氢。
9.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,清洗气体通过所述清洗气体通道进入所述反应腔,所述清洗气体包括三氟化氮、氩气。
10.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,所述反应气体通道的尺寸为大于或等于0.2mm且小于或等于0.6mm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的