[发明专利]一种抗静电硅胶保护膜

权利要求书

1.一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，包括离型膜、抗静电硅胶层和聚脂薄膜；所述抗静电硅胶层的原料包括：羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金；

其中，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程包括：

S1、将硅胶活化后加入乙醇、KH-550偶联剂，在惰性气氛下升温至60-80℃反应得到改性硅胶；

S2、将改性硅胶和羟乙基纤维素溶于甲苯中，加入六亚甲基二异氰酸酯升温至90-120℃反应得到羟乙基纤维素改性硅胶。

2.根据权利要求1所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶、溶剂、碳纳米材料、硅胶锚固剂、铂金的重量比为40-60：60-70：0.1-0.5：0.5-1.5：0.5-1；优选地，羟乙基纤维素改性硅胶和碳纳米材料的重量比为50：0.2-0.4。

3.根据权利要求1或2所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S1中，反应时间为12-24h；优选地，步骤S1中，升温至70℃；优选地，步骤S1中，硅胶、KH-550偶联剂质量体积比以g：ml计为1-2：1-2。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S1中，硅胶采用酸活化，具体步骤为：将硅胶与酸溶液混合均匀，升温至70-90℃反应6-8h，过滤，干燥得到活化硅胶；其中，酸溶液中酸的浓度为20-40wt％；优选地，酸为盐酸或硝酸；优选地，干燥为100-120℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S2中，改性硅胶、羟乙基纤维素和六亚甲基二异氰酸酯的质量体积比以g：g：ml计为8-10：3-5：0.5-2。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，羟乙基纤维素改性硅胶的制备过程中，步骤S2中，反应时间为6-10h；优选地，步骤S2中，升温至100℃。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，碳纳米材料为碳纳米管和/或碳纳米纤维；优选地，碳纳米材料为碳纳米管；优选地，碳纳米材料为单壁碳纳米管。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，溶剂为乙酸乙酯。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，硅胶锚固剂为偶联剂型锚固剂；优选地，硅胶锚固剂为有机硅烷偶联剂。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的抗静电硅胶保护膜，其特征在于，抗静电硅胶层的制备过程包括：将改性硅胶、碳纳米材料、溶剂搅拌混合，依次加入硅胶锚固剂、铂金，搅拌均匀，静置消泡，涂布得到抗静电硅胶层。