[发明专利]一种抗辐射保偏光纤

权利要求书

1.一种抗辐射保偏光纤，包括有芯层和包层，在包层内芯层的两侧对称设置应力层，其特征在于所述的芯层直径D1为4.0～7.0μm，相对折射率差Δ1％为-0.1％～-0.3％，所述的应力层直径D2为15.0～25.0μm，相对折射率差Δ3％为-0.6％～-1.0％，所述的包层相对折射率差Δ2％为-0.2％～-0.457％；所述的包层直径D3为50.0～90.0μm。

2.按权利要求1所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述的芯层为掺氟石英，所述的应力层为掺硼石英层，所述的包层为掺氟石英层。

3.按权利要求1或2所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述的两侧对称设置的应力层间距L与包层直径D3的比值为0.2～0.5。

4.按权利要求1或2所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述的相对折射率差为芯层、包层和应力层相对纯二氧化硅的折射率差。

5.按权利要求1或2所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述的包层外涂覆有抗辐射涂覆层，所述的抗辐射涂覆层由内向外依次为内涂覆层和外涂覆层，内涂覆层的直径D4与外涂覆层的直径D5的差值D5-D4为10.0～30.0μm，所述的外涂覆层的直径D5为160～170μm。

6.按权利要求1或2所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述保偏光纤的模式双折射率不小于3.0×10^-4。

7.按权利要求1或2所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述保偏光纤在0.1Gy/s剂量率和5000Gy总剂量辐照后的附加衰减小于或等于0.5dB/100m。

8.按权利要求1或2所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述的芯层、包层和应力层的折射率剖面结构均为阶跃型剖面结构。

9.按权利要求5所述的抗辐射保偏光纤，其特征在于所述保偏光纤的筛选强度大于或等于100kpsi。